logo
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 polski فارسی বাংলা ไทย tiếng Việt العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia
المنزل
المنتجات
مصنعين
حولنا
أرسل RFQ
تنزيل
المنزل>المنتجات>

field effect transistor

المرشحات
الفئات
المرشحات

دارة متكاملة

(424)

IGBT

(15)

وحدة التحكم الدقيقة

(78)

ترانزستور الديود التايريستور

(9)

موصل IC

(5)

ترددات الراديو IC

(8)

المكونات الإلكترونية جيم

(43)

مكبرات الموجات الدقيقة

(1)

رقاقة RFID IC

(2)

المكون السلبي

(1)

ترانزستور موس

(57)

مستشعر IC

(37)

ذاكرة IC

(29)

مكبر للصوت IC

(119)

وحدة التحكم بالمرور

(5)
Keywords   [ field effect transistor ]  Match 19 المنتجات.
NCEP15T14LL TOLL N Channel MOSFET ترانزستور 150V 170A ترانزستور تأثير المجال

NCEP15T14LL TOLL N Channel MOSFET ترانزستور 150V 170A ترانزستور تأثير المجال

NCEP15T14LL TOLL N-channel 150V 170A POWER MOSFET EFFENT EFFENT TRANTISTOR
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 ترانزستور تأثير المجال 30 فولت 8.2 أمبير قناة N طباعة الشاشة 4C10

NTTFS4C10NTAG WDFN-8 ترانزستور تأثير المجال 30 فولت 8.2 أمبير قناة N طباعة الشاشة 4C10

NTTFS4C10NTAG WDFN-8 تأثير الحقل MOSFET 30V 8.2A N-channel Screen Printing 4C10
IRF8714TRPBF SOP-8 N القناة MOS تأثير المجال الترانزستور IC المكونات الإلكترونية

IRF8714TRPBF SOP-8 N القناة MOS تأثير المجال الترانزستور IC المكونات الإلكترونية

IRF8714TRPBF SOP-8 N Channel MOS Field Effect Transistor IC المكونات الإلكترونية
NCE2030K TO-252 20V 30A قناة شمالية MOS رقاقة ترانزستور تأثير المجال

NCE2030K TO-252 20V 30A قناة شمالية MOS رقاقة ترانزستور تأثير المجال

NCE2030K TO-252 20V 30A N-channel MOS Field Effect Chip
أشباه الموصلات N-channel 40v90a MOS Field Effect Transiptor of IPD036N04L SOT-25

أشباه الموصلات N-channel 40v90a MOS Field Effect Transiptor of IPD036N04L SOT-25

أشباه الموصلات N-channel 40v90a MOS Field Effect Transiptor of IPD036N04L SOT-25
أشباه الموصلات N-channel 40v90a MOS Field Effect Transiptor of IPD036N04L SOT-25

أشباه الموصلات N-channel 40v90a MOS Field Effect Transiptor of IPD036N04L SOT-25

أشباه الموصلات N-channel 40v90a MOS Field Effect Transiptor of IPD036N04L SOT-25
IRF7905TRPBF SOIC-8 ترانزستور دائرة متكاملة متجانسة IC MOS مجال تأثير الترانزستور قناة N

IRF7905TRPBF SOIC-8 ترانزستور دائرة متكاملة متجانسة IC MOS مجال تأثير الترانزستور قناة N

IRF7905TRPBF SOIC-8 ترانزستور دائرة متكاملة متجانسة IC MOS مجال تأثير الترانزستور قناة N
BSS138LT1G SOT-23-3 رقاقة عالية الجودة الدائرة المتكاملة المكون الإلكتروني ترانزستور تأثير المجال MOS

BSS138LT1G SOT-23-3 رقاقة عالية الجودة الدائرة المتكاملة المكون الإلكتروني ترانزستور تأثير المجال MOS

BSS138LT1G SOT-23-3 رقاقة عالية الجودة الدائرة المتكاملة المكون الإلكتروني ترانزستور تأثير المجال MO
AP3010 SOP-8 الشاشة المطبوعة MOS FET الترانزستور مقاومة الجهد من 30V 10A

AP3010 SOP-8 الشاشة المطبوعة MOS FET الترانزستور مقاومة الجهد من 30V 10A

AP3010 SOP-8 المطبوعة على الشاشة 3010 N-channel mos fet مع الجهد 30 فولت 10A
ترانزستور نارزستور جديد جبل سوت SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A

ترانزستور نارزستور جديد جبل سوت SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A

ترانزستور نارزستور جديد جبل سوت SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A
صورةجزء #الوصفالصانعالأسهمRFQ
NCEP15T14LL TOLL N Channel MOSFET ترانزستور 150V 170A ترانزستور تأثير المجال

NCEP15T14LL TOLL N Channel MOSFET ترانزستور 150V 170A ترانزستور تأثير المجال
NCEP15T14LL TOLL N-channel 150V 170A POWER MOSFET EFFENT EFFENT TRANTISTOR
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 ترانزستور تأثير المجال 30 فولت 8.2 أمبير قناة N طباعة الشاشة 4C10

NTTFS4C10NTAG WDFN-8 ترانزستور تأثير المجال 30 فولت 8.2 أمبير قناة N طباعة الشاشة 4C10
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 تأثير الحقل MOSFET 30V 8.2A N-channel Screen Printing 4C10
IRF8714TRPBF SOP-8 N القناة MOS تأثير المجال الترانزستور IC المكونات الإلكترونية

IRF8714TRPBF SOP-8 N القناة MOS تأثير المجال الترانزستور IC المكونات الإلكترونية
IRF8714TRPBF SOP-8 N Channel MOS Field Effect Transistor IC المكونات الإلكترونية
NCE2030K TO-252 20V 30A قناة شمالية MOS رقاقة ترانزستور تأثير المجال

NCE2030K TO-252 20V 30A قناة شمالية MOS رقاقة ترانزستور تأثير المجال
NCE2030K TO-252 20V 30A N-channel MOS Field Effect Chip
أشباه الموصلات N-channel 40v90a MOS Field Effect Transiptor of IPD036N04L SOT-25

أشباه الموصلات N-channel 40v90a MOS Field Effect Transiptor of IPD036N04L SOT-25
أشباه الموصلات N-channel 40v90a MOS Field Effect Transiptor of IPD036N04L SOT-25
أشباه الموصلات N-channel 40v90a MOS Field Effect Transiptor of IPD036N04L SOT-25

أشباه الموصلات N-channel 40v90a MOS Field Effect Transiptor of IPD036N04L SOT-25
أشباه الموصلات N-channel 40v90a MOS Field Effect Transiptor of IPD036N04L SOT-25
IRF7905TRPBF SOIC-8 ترانزستور دائرة متكاملة متجانسة IC MOS مجال تأثير الترانزستور قناة N

IRF7905TRPBF SOIC-8 ترانزستور دائرة متكاملة متجانسة IC MOS مجال تأثير الترانزستور قناة N
IRF7905TRPBF SOIC-8 ترانزستور دائرة متكاملة متجانسة IC MOS مجال تأثير الترانزستور قناة N
BSS138LT1G SOT-23-3 رقاقة عالية الجودة الدائرة المتكاملة المكون الإلكتروني ترانزستور تأثير المجال MOS

BSS138LT1G SOT-23-3 رقاقة عالية الجودة الدائرة المتكاملة المكون الإلكتروني ترانزستور تأثير المجال MOS
BSS138LT1G SOT-23-3 رقاقة عالية الجودة الدائرة المتكاملة المكون الإلكتروني ترانزستور تأثير المجال MO
AP3010 SOP-8 الشاشة المطبوعة MOS FET الترانزستور مقاومة الجهد من 30V 10A

AP3010 SOP-8 الشاشة المطبوعة MOS FET الترانزستور مقاومة الجهد من 30V 10A
AP3010 SOP-8 المطبوعة على الشاشة 3010 N-channel mos fet مع الجهد 30 فولت 10A
ترانزستور نارزستور جديد جبل سوت SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A

ترانزستور نارزستور جديد جبل سوت SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A
ترانزستور نارزستور جديد جبل سوت SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A
MOSFET العاكس MOS MOS Power Transistor HY3912W TO-247 190A 125V N قناة MOSFET

MOSFET العاكس MOS MOS Power Transistor HY3912W TO-247 190A 125V N قناة MOSFET
MOSFET العاكس MOS MOS Power Transistor HY3912W TO-247 190A 125V N قناة MOSFET
ترانزستور أصلي BT136 TO-220 800 مكون إلكتروني ثيريستور ثنائي الاتجاه عالي الطاقة

ترانزستور أصلي BT136 TO-220 800 مكون إلكتروني ثيريستور ثنائي الاتجاه عالي الطاقة
ترانزستور أصلي BT136 TO-220 800 مكون إلكتروني ثيريستور ثنائي الاتجاه عالي الطاقة
أنبوب نصف موصل أكسيد معدني من نوع IRFR4615TRLPBF أصلي

أنبوب نصف موصل أكسيد معدني من نوع IRFR4615TRLPBF أصلي
أنبوب نصف موصل أكسيد معدني من نوع IRFR4615TRLPBF أصلي
موسفت IRFP260N TO-247 أصلي مستورد جديد تمامًا، بقدرة عالية تبلغ 200 فولت/50 أمبير

موسفت IRFP260N TO-247 أصلي مستورد جديد تمامًا، بقدرة عالية تبلغ 200 فولت/50 أمبير
IRFP260N TO-247 NEW NEW NEW NEWEIN
ترانزستور جديد أصلي FDP18N50 TO-220-3 18A/500V طاقة Mosfet IC رقاقة

ترانزستور جديد أصلي FDP18N50 TO-220-3 18A/500V طاقة Mosfet IC رقاقة
ترانزستور جديد أصلي FDP18N50 TO-220-3 18A/500V طاقة Mosfet IC رقاقة
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET رقاقة الترانزستور القناة N 40V/20.5A

SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET رقاقة الترانزستور القناة N 40V/20.5A
sir422dp-t1-ge3 qfn8 n القناة 40V/20.5A SMD MOSFET رقاقة
C3M0016120K TO-247-4 طاقة الكربيد السيليكوني نوع N MOSFET المكون الإلكتروني كربيد السيليكون SIC FET IC الشريحة

C3M0016120K TO-247-4 طاقة الكربيد السيليكوني نوع N MOSFET المكون الإلكتروني كربيد السيليكون SIC FET IC الشريحة
C3M0016120K TO-247-4 طاقة الكربيد السيليكوني نوع N MOSFET المكون الإلكتروني كربيد السيليكون SIC FET
SI2301CDS-T1-GE3 P قناة MOSFET FET رقاقة مكونات إلكترونية IC SOT-23 التعبئة والتغليف

SI2301CDS-T1-GE3 P قناة MOSFET FET رقاقة مكونات إلكترونية IC SOT-23 التعبئة والتغليف
SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P قناة التصحيح MOSFET FET CHIP IC المكونات الإلكترونية
TGAN40N60F2DS TO-3P الدائرة المتكاملة IC المكون الإلكتروني IC

TGAN40N60F2DS TO-3P الدائرة المتكاملة IC المكون الإلكتروني IC
Tgan40N60F2DS TO-3P دوائر متكاملة جديدة من الأسهم الأصلية LC Chips Electronic Componn
1
اتصل بنا
العنوان: الغرفة 3-1211A، رقم 8760 شارع باوان، مجتمع هونغشينغ، شارع سونغغانغ، منطقة باوان، مدينة شينشن
البريد الإلكتروني: 13434437778@163.com
الهاتف: 86-0775-13434437778
المنتجات

دارة متكاملة

IGBT

وحدة التحكم الدقيقة

ترانزستور الديود التايريستور

موصل IC

ترددات الراديو IC

المكونات الإلكترونية جيم

مكبرات الموجات الدقيقة

رقاقة RFID IC

المكون السلبي
حولنا
حولنا شهادة الأيزو مراقبة الجودة سياسة الخصوصية مركز المساعدة
سياسة الخصوصية | الصين جودة جيدة دارة متكاملة المورد. حقوق الطبع والنشر © 2025 Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd. جميع الحقوق محفوظة