NCE2030K TO-252 20V 30A قناة شمالية MOS رقاقة ترانزستور تأثير المجال
الصانع:
اس كيه هاينكس
الوصف:
NCE2030K TO-252 20V 30A N-channel MOS Field Effect Chip
الفئة:
ترانزستور موس
السعر:
CN¥1.44/pieces
المواصفات
درجة حرارة العمل:
-، معيار
مسلسل:
NCE2030
الوصف:
المعادن - أكسيد - مجال أشباه الموصلات - ترانزستور تأثير ، -
النوع:
موسفيت ، الترانزستور
د / ج:
23+ ، 23+
نوع الحزمة:
جبل السطح
التطبيق:
برنامج تشغيل MOSFET ، جميع أنواع المنتجات الإلكترونية
نوع المورد:
آخر
إشارة الصليب:
-
الوسائط المتاحة:
صورة
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
معيار
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
معيار
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic:
معيار
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
معيار
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce:
معيار
أقصى القوة:
معيار
التردد - الانتقال:
معيار
نوع التثبيت:
جبل السطح ، التماس لحام
الحزمة / الحقيبة:
TO-252
المقاوم - القاعدة (R1):
معيار
المقاوم - قاعدة الباعث (R2):
معيار
نوع FET:
موس
ميزة FET:
معيار
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss):
معيار
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية:
معيار
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs:
معيار
Vgs (th) (Max) @ Id:
معيار
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs:
معيار
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds:
معيار
التكرار:
معيار
التصنيف الحالي (أمبير):
معيار
الرقم الضوضاء:
معيار
مخرج قوي:
معيار
الجهد - تقييمه:
معيار
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On):
معيار
Vgs (ماكس):
معيار
نوع IGBT:
معيار
التكوين:
معيار
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
معيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
معيار
المدخلات:
معيار
NTC الثرمستور:
معيار
الجهد - الانهيار (V (BR) GSS):
معيار
الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0):
معيار
الصرف الحالي (المعرف) - ماكس:
معيار
الجهد - القطع (VGS off) @ Id:
معيار
المقاومة - RDS (تشغيل):
معيار
الجهد - الإخراج:
معيار
الجهد - الإزاحة (Vt):
معيار
التيار - بوابة تسرب الأنود (Igao):
معيار
الحالي - الوادي (الرابع):
معيار
الحالي - الذروة:
معيار
نوع الترانزستور:
موس
اسم المنتج:
NCE2030K
الأصل من م:
العلامة التجارية الاصلية
ديتاليس:
الرجاء الاتصال بنا
الشحن عن طريق:
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
الدفع:
PayPal Western Union T/T
حالة الدفع:
العلامة التجارية Newand Original
الضمان:
ضمان 365 يومًا
الجودة:
أصلية عالية الجودة
الجهد:
معيار
التطبيقات:
معيار
إبراز:
N قناة MOS رقاقة,رقاقة MOS NCE2030K,NCE2030K ترانزستور تأثير الحقل
,NCE2030K MOS Chip
,NCE2030K Field Effect Transistor
مقدمة
وصف المنتج
|
نوع المنتج:
|
شريحة ترانزستور تأثير المجال MOS من النوع N
|
|
رقم الموديل:
|
NCE2030K
|
|
السلسلة:
|
NCE2030
|
|
المورد:
|
NCE
|
|
التعبئة والتغليف:
|
TO-252
|
|
تثبيت النمط:
|
SMD/SMT
|
|
|
جديد وأصلي
|
NCE2030K TO-252 20V 30A شريحة ترانزستور تأثير المجال MOS من النوع Nهي واحدة من أفضل شرائح IC مبيعًا لدينا
|
جهة الاتصال:
|
السيد غوو
|
|
|
|
هاتف:
|
+86 13434437778
|
|
|
|
البريد الإلكتروني:
|
XCDZIC@163.COM
|
|
|
|
Wechat:
|
0086 13434437778
|
|
|
التعبئة والتسليم
|
الكمية (قطعة)
|
1-100
|
100-1000
|
1000-10000
|
|
المهلة (أيام)
|
3-5
|
5-8
|
يتم التفاوض عليه
|
ملف الشركة
الأسئلة الشائعة
منتجات ذات صلة
NCEP15T14D TO-263 150V 140A MOSFET ترانزستور قناة N للمنتجات الإلكترونية
NCEP15T14D TO-263 N-channel 150V 140A power MOSFET FET
IRF8714TRPBF SOP-8 N القناة MOS تأثير المجال الترانزستور IC المكونات الإلكترونية
IRF8714TRPBF SOP-8 N Channel MOS Field Effect Transistor IC Electronic Components Completely New Original
ULN2003A عجلة عالية التيار العالي دارلينغتون ترانزستور IC توزيع محرك تحويل الحمل
High Voltage and High Current Darlington Transistor IC ULN2003A SOP-16 Distribution Switch Load Driver
AP3010 SOP-8 الشاشة المطبوعة MOS FET الترانزستور مقاومة الجهد من 30V 10A
AP3010 SOP-8 Screen-printed 3010 N-channel MOS FET withwithstand voltage of 30V 10A
SI2301CDS-T1-GE3 P قناة MOSFET FET رقاقة مكونات إلكترونية IC SOT-23 التعبئة والتغليف
SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P channel patch MOSFET FET chip IC electronic components
BT138-600E TO-220 ترانزستور MOSFET 12A 600V ثايرستور جديد تمامًا وأصلي
BT138-600E TO-220 Electronic Component Triac 12A 600V Thyristor Brand New and Original
S9014 0.15A 50V طاقة منخفضة ترانزستور NPN SOT-23 منتج نصف موصل منفصل أصلي
S9014 0.15A 50V NPN low power transistor SOT-23 transistor original discrete semiconductor product
نصيحة 42c TO-220 PNP Power Transistor المكون الإلكتروني لجهاز مكبر الطاقة الصوتي Tube IC
Tip42c TO-220 PNP power transistor electronic component audio power amplifier tube IC brand new and original
FDP18N50 TO-220 18A/500V MOS FET الترانزستور قناة N من خلال تركيب الثقب
Novel Transistor FDP18N50 TO-220 18A/500V N-channel FET MOS Transistor
BTA100-800B TO-4 القوة العالية ثيريستور الثلاثي 800V 100A ينظم ثيريستور التيار المتردد ثنائي الاتجاه
Transistor BTA100-800B TO-4 High-power triac thyristor 800V 100A regulates bidirectional AC thyristor
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
NCEP15T14D TO-263 150V 140A MOSFET ترانزستور قناة N للمنتجات الإلكترونية |
NCEP15T14D TO-263 N-channel 150V 140A power MOSFET FET
|
|
|
|
IRF8714TRPBF SOP-8 N القناة MOS تأثير المجال الترانزستور IC المكونات الإلكترونية |
IRF8714TRPBF SOP-8 N Channel MOS Field Effect Transistor IC Electronic Components Completely New Original
|
|
|
|
ULN2003A عجلة عالية التيار العالي دارلينغتون ترانزستور IC توزيع محرك تحويل الحمل |
High Voltage and High Current Darlington Transistor IC ULN2003A SOP-16 Distribution Switch Load Driver
|
|
|
|
AP3010 SOP-8 الشاشة المطبوعة MOS FET الترانزستور مقاومة الجهد من 30V 10A |
AP3010 SOP-8 Screen-printed 3010 N-channel MOS FET withwithstand voltage of 30V 10A
|
|
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 P قناة MOSFET FET رقاقة مكونات إلكترونية IC SOT-23 التعبئة والتغليف |
SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P channel patch MOSFET FET chip IC electronic components
|
|
|
|
BT138-600E TO-220 ترانزستور MOSFET 12A 600V ثايرستور جديد تمامًا وأصلي |
BT138-600E TO-220 Electronic Component Triac 12A 600V Thyristor Brand New and Original
|
|
|
|
S9014 0.15A 50V طاقة منخفضة ترانزستور NPN SOT-23 منتج نصف موصل منفصل أصلي |
S9014 0.15A 50V NPN low power transistor SOT-23 transistor original discrete semiconductor product
|
|
|
|
نصيحة 42c TO-220 PNP Power Transistor المكون الإلكتروني لجهاز مكبر الطاقة الصوتي Tube IC |
Tip42c TO-220 PNP power transistor electronic component audio power amplifier tube IC brand new and original
|
|
|
|
FDP18N50 TO-220 18A/500V MOS FET الترانزستور قناة N من خلال تركيب الثقب |
Novel Transistor FDP18N50 TO-220 18A/500V N-channel FET MOS Transistor
|
|
|
|
BTA100-800B TO-4 القوة العالية ثيريستور الثلاثي 800V 100A ينظم ثيريستور التيار المتردد ثنائي الاتجاه |
Transistor BTA100-800B TO-4 High-power triac thyristor 800V 100A regulates bidirectional AC thyristor
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: