logo
Дом > продукты > Транзистор MOS > NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта

NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта

производитель:
SK HYNIX
Описание:
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзисторный чип с эффектом поля
Категория:
Транзистор MOS
Цена:
CN¥1.44/pieces
Спецификации
Операционная температура:
- стандартный
Серия:
NCE2030
Описание:
Металлический оксид полупроводниковое поле эффектный транзистор
Тип:
MOSFET , транзистор
D/C:
23+, 23+
Тип упаковки:
Поверхностный монтаж
Применение:
Драйвер MOSFET, все виды электронных продуктов
Тип поставщика:
прочие
Ссылки:
-
Доступные средства массовой информации:
Фотография
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
Стандартный
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
Стандартный
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
Стандартный
Ток - предел коллектора (макс.):
Стандартный
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
Стандартный
Мощность - Макс:
Стандартный
Частота - переходный период:
Стандартный
Тип установки:
Поверхностный монтаж, сварный швов
Пакет / чемодан:
TO-252
Резистор - основа (R1):
Стандартный
Резистор - база излучателя (R2):
Стандартный
Тип FET:
MOS
Особенность FET:
Стандартный
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
Стандартный
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:
Стандартный
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Стандартный
Vgs(th) (Max) @ Id:
Стандартный
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:
Стандартный
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
Стандартный
Частота:
Стандартный
Регулируемый ток (ампер):
Стандартный
Число шума:
Стандартный
Мощность - выход:
Стандартный
Напряжение - номинальное:
Стандартный
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше):
Стандартный
Vgs (макс.):
Стандартный
Тип IGBT:
Стандартный
Конфигурация:
Стандартный
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
Стандартный
Ввод:
Стандартный
Термистор NTC:
Стандартный
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS):
Стандартный
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Стандартный
Потребление тока (id) - Макс:
Стандартный
Напряжение тока - id выключения (VGS) @:
Стандартный
Сопротивление - RDS (дальше):
Стандартный
Напряжение - выход:
Стандартный
Напряжение тока - смещение (Vt):
Стандартный
Настоящий - ворота к утечке анода (Igao):
Стандартный
Настоящий - долина (iv):
Стандартный
Настоящий - пик:
Стандартный
Тип транзистора:
MOS
Наименование продукта:
NCE2030K
Первоначальный от:
Первоначальный бренд
Detalis:
Пожалуйста, свяжитесь с нами.
Перевозка:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Почта
Оплата:
Paypal Western Union t/t
Условия оплаты:
Совершенно новый и оригинальный
Гарантия:
Гарантия 365 дней
Качество:
Оригинальное высокое качество
Напряжение:
Стандартный
Заявления:
Стандартный
Выделить:

N-канальный MOS-чип

,

MOS-чип NCE2030K

,

Полевой транзистор NCE2030K

Введение
 
Описание продукта
Тип продукции:
Чип транзистора с эффектом поля N-канального MOS
Номер модели:
NCE2030K
Серия:
NCE2030
Продавец:
NCE
Опаковка:
TO-252
Установка стиля:
SMD/SMT
 
Новые и оригинальные
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзисторный чип с эффектом поляявляется одним из наших самых продаваемых микросхем IC
Контактное лицо:
Мистер Гуо.
 
Телефон:
+86 13434437778
 
Электронная почта:
XCDZIC@163.COM
 
Wechat:
0086 13434437778
 
Упаковка и доставка
Количество ((единицы)
1-100
100-1000
1000-10000
Время выполнения (день)
3-5
5-8
Подлежит переговорам
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
Профиль компании
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
Частые вопросы
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
NCEP15T14D TO-263 150V 140A MOSFET Транзистор N канал для электронных продуктов

NCEP15T14D TO-263 150V 140A MOSFET Транзистор N канал для электронных продуктов

NCEP15T14D TO-263 N-channel 150V 140A power MOSFET FET
IRF8714TRPBF SOP-8 N Channel MOS Field Effect Transistor IC Электронные компоненты

IRF8714TRPBF SOP-8 N Channel MOS Field Effect Transistor IC Электронные компоненты

IRF8714TRPBF SOP-8 N Channel MOS Field Effect Transistor IC Electronic Components Completely New Original
ULN2003A Высоковольтный высокоточный Драйвер нагрузки транзистора Дарлингтона

ULN2003A Высоковольтный высокоточный Драйвер нагрузки транзистора Дарлингтона

High Voltage and High Current Darlington Transistor IC ULN2003A SOP-16 Distribution Switch Load Driver
AP3010 SOP-8 Транзистор MOS FET с печатным экраном, выдерживающий напряжение 30 В 10 А

AP3010 SOP-8 Транзистор MOS FET с печатным экраном, выдерживающий напряжение 30 В 10 А

AP3010 SOP-8 Screen-printed 3010 N-channel MOS FET withwithstand voltage of 30V 10A
SI2301CDS-T1-GE3 P Канал MOSFET FET Чип Электронные компоненты IC SOT-23 Упаковка

SI2301CDS-T1-GE3 P Канал MOSFET FET Чип Электронные компоненты IC SOT-23 Упаковка

SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P channel patch MOSFET FET chip IC electronic components
BT138-600E TO-220 MOSFET Транзистор 12A 600V Тиристор Новый и Оригинальный

BT138-600E TO-220 MOSFET Транзистор 12A 600V Тиристор Новый и Оригинальный

BT138-600E TO-220 Electronic Component Triac 12A 600V Thyristor Brand New and Original
S9014 0,15A 50V НПН-транзистор низкой мощности SOT-23 оригинальный дискретный полупроводниковый продукт

S9014 0,15A 50V НПН-транзистор низкой мощности SOT-23 оригинальный дискретный полупроводниковый продукт

S9014 0.15A 50V NPN low power transistor SOT-23 transistor original discrete semiconductor product
Tip42c TO-220 PNP Power Transistor Electronic Component Audio Power Amplifier Tube IC (Электронный компонент для усилителя мощности для звука)

Tip42c TO-220 PNP Power Transistor Electronic Component Audio Power Amplifier Tube IC (Электронный компонент для усилителя мощности для звука)

Tip42c TO-220 PNP power transistor electronic component audio power amplifier tube IC brand new and original
FDP18N50 TO-220 18A/500V MOS FET Транзистор N канал через отверстие

FDP18N50 TO-220 18A/500V MOS FET Транзистор N канал через отверстие

Novel Transistor FDP18N50 TO-220 18A/500V N-channel FET MOS Transistor
BTA100-800B TO-4 Высокомощный триак-тиристор 800 В 100 А Регулирует двунаправленный переменный ток тиристор

BTA100-800B TO-4 Высокомощный триак-тиристор 800 В 100 А Регулирует двунаправленный переменный ток тиристор

Transistor BTA100-800B TO-4 High-power triac thyristor 800V 100A regulates bidirectional AC thyristor
Изображение Часть # Описание
NCEP15T14D TO-263 150V 140A MOSFET Транзистор N канал для электронных продуктов

NCEP15T14D TO-263 150V 140A MOSFET Транзистор N канал для электронных продуктов

NCEP15T14D TO-263 N-channel 150V 140A power MOSFET FET
IRF8714TRPBF SOP-8 N Channel MOS Field Effect Transistor IC Электронные компоненты

IRF8714TRPBF SOP-8 N Channel MOS Field Effect Transistor IC Электронные компоненты

IRF8714TRPBF SOP-8 N Channel MOS Field Effect Transistor IC Electronic Components Completely New Original
ULN2003A Высоковольтный высокоточный Драйвер нагрузки транзистора Дарлингтона

ULN2003A Высоковольтный высокоточный Драйвер нагрузки транзистора Дарлингтона

High Voltage and High Current Darlington Transistor IC ULN2003A SOP-16 Distribution Switch Load Driver
AP3010 SOP-8 Транзистор MOS FET с печатным экраном, выдерживающий напряжение 30 В 10 А

AP3010 SOP-8 Транзистор MOS FET с печатным экраном, выдерживающий напряжение 30 В 10 А

AP3010 SOP-8 Screen-printed 3010 N-channel MOS FET withwithstand voltage of 30V 10A
SI2301CDS-T1-GE3 P Канал MOSFET FET Чип Электронные компоненты IC SOT-23 Упаковка

SI2301CDS-T1-GE3 P Канал MOSFET FET Чип Электронные компоненты IC SOT-23 Упаковка

SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P channel patch MOSFET FET chip IC electronic components
BT138-600E TO-220 MOSFET Транзистор 12A 600V Тиристор Новый и Оригинальный

BT138-600E TO-220 MOSFET Транзистор 12A 600V Тиристор Новый и Оригинальный

BT138-600E TO-220 Electronic Component Triac 12A 600V Thyristor Brand New and Original
S9014 0,15A 50V НПН-транзистор низкой мощности SOT-23 оригинальный дискретный полупроводниковый продукт

S9014 0,15A 50V НПН-транзистор низкой мощности SOT-23 оригинальный дискретный полупроводниковый продукт

S9014 0.15A 50V NPN low power transistor SOT-23 transistor original discrete semiconductor product
Tip42c TO-220 PNP Power Transistor Electronic Component Audio Power Amplifier Tube IC (Электронный компонент для усилителя мощности для звука)

Tip42c TO-220 PNP Power Transistor Electronic Component Audio Power Amplifier Tube IC (Электронный компонент для усилителя мощности для звука)

Tip42c TO-220 PNP power transistor electronic component audio power amplifier tube IC brand new and original
FDP18N50 TO-220 18A/500V MOS FET Транзистор N канал через отверстие

FDP18N50 TO-220 18A/500V MOS FET Транзистор N канал через отверстие

Novel Transistor FDP18N50 TO-220 18A/500V N-channel FET MOS Transistor
BTA100-800B TO-4 Высокомощный триак-тиристор 800 В 100 А Регулирует двунаправленный переменный ток тиристор

BTA100-800B TO-4 Высокомощный триак-тиристор 800 В 100 А Регулирует двунаправленный переменный ток тиристор

Transistor BTA100-800B TO-4 High-power triac thyristor 800V 100A regulates bidirectional AC thyristor
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: