FS50R12W2T7B11BOMA1
المواصفات
فئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
Current - Collector (IC) (Max):
50 أ
حالة المنتج:
نشيط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
طَرد:
صينية
مسلسل:
EasyPACK ™
حزمة / حالة:
الوحدة النمطية
VCE (ON) (MAX) @ VGE ، IC:
1.5 فولت @ 15 فولت، 50 أمبير (الطباع)
الجهد - انهيار باعث جامع (كحد أقصى):
1200 v
حزمة جهاز المورد:
الوحدة النمطية
MFR:
Infineon Technologies
درجة حرارة التشغيل:
-40 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
Current - Collector Cutoff (Max):
7.9 ميكرو أمبير
نوع IGBT:
توقف حقل الخندق
السلطة - ماكس:
20 ميغاواط
مدخل:
معيار
سعة الإدخال (CIES) @ VCE:
11.1 nF @ 25 V.
إعدادات:
جسر كامل
NTC الثرمستور:
لا
رقم المنتج الأساسي:
FS50R12
مقدمة
وحدة IGBT خندق المجال وقف الجسر الكامل 1200 فولت 50 A 20 مايو وحدة تركيب الهيكل
أرسل RFQ
الأسهم:
In Stock
الـ MOQ: