FF200R12KE3B2HOSA1
Beschrijving:
IGBT-modus 1200V 295A 1050W
Categorie:
IGBT-Modules
In-voorraad:
Op voorraad
Betalingswijze:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Verzendmethode:
LCL, Air, FCL, Express
Specificaties
Categorie:
Discrete halfgeleiderproducten
Transistors
IGBT's
IGBT-modules
Stroom - collector (ic) (max):
295 A
Productstatus:
actief
Montagetype:
Chassisbevestiging
Pakket:
dienblad
Serie:
-
Pakket / kast:
Module
VCE (op) (max) @ vge, ic:
2.15V @ 15V, 200A
Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max):
1200 V
Leverancierapparaatpakket:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Bedrijfstemperatuur:
-40 ° C ~ 125 ° C
Current - Collector Cutoff (Max):
5 ma
IGBT -type:
-
Power - Max:
1050 W
Invoeren:
Standaard
Invoercapaciteit (cies) @ VCE:
14 nF @ 25 V
Configuratie:
Halve brug
NTC Thermistor:
NEE
Base Productnummer:
FF200R12
Inleiding
IGBT-module Halve brug 1200 V 295 A 1050 W Chassis montage module
Verzend RFQ
Voorraad:
In Stock
MOQ: