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Keywords [ field effect transistor ] Match 19 produits.
| Image | partie # | Définition | fabricant | Le stock | RFQ | |
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Transistor MOSFET canal N NCEP15T14LL 150V 170A, transistor à effet de champ |
NCEP15T14LL TOLL transistor à effet de champ MOSFET à 150V 170A
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NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Transistor à effet de champ 30V 8.2A |
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 effet de champ MOSFET 30V 8.2A N-canal d'impression à écran 4C10
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IRF8714TRPBF SOP-8 N Channel MOS Transistor à effet de champ IC composants électroniques |
IRF8714TRPBF SOP-8 N Canal MOS Transistor IC à effet de champ Composants électroniques entièrement n
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NCE2030K TO-252 20V 30A Transistor MOS à canal N à effet de champ |
NCE2030K TO-252 20V 30A puce transistor à effet de champ MOS N-canal
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Transistor à effet de champ MOS à semi-conducteur N-canal 40V90A de IPD036N04L SOT-252 SMPS MOSFET à commutation rapide |
Transistor à effet de champ MOS à semi-conducteur N-canal 40V90A de IPD036N04L SOT-252 SMPS MOSFET à
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Transistor à effet de champ MOS à semi-conducteur N-canal 40V90A de IPD036N04L SOT-252 SMPS MOSFET à commutation rapide |
Transistor à effet de champ MOS à semi-conducteur N-canal 40V90A de IPD036N04L SOT-252 SMPS MOSFET à
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IRF7905TRPBF SOIC-8 Transistor Circuit intégré monolithique IC MOS Transistor à effet de champ N-canal |
IRF7905TRPBF SOIC-8 Transistor Circuit intégré monolithique IC MOS Transistor à effet de champ N-can
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BSS138LT1G SOT-23-3 Circuit intégré à puce de haute qualité Composant électronique MOS Transistor à effet de champ |
BSS138LT1G SOT-23-3 Circuit intégré à puce de haute qualité Composant électronique MOS Transistor à
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AP3010 SOP-8 Transistor FET MOS à écran imprimé résiste à une tension de 30V 10A |
AP3010 SOP-8 MOSFET à canal N sérigraphié 3010 avec une tension de tenue de 30V 10A
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Nouveau moteur de surface de transistor à N-canal original SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A |
Nouveau moteur de surface de transistor à N-canal original SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A
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Transistor de puissance MOS HY3912W à 247 190A 125V N |
Transistor de puissance MOS HY3912W à 247 190A 125V N
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Transistor original BT136 TO-220 thyristor bidirectionnel haute puissance composant électronique |
Transistor original BT136 TO-220 thyristor bidirectionnel haute puissance composant électronique
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Tubes à semi-conducteurs d'oxyde de métal de type IRFR4615TRLPBF à thyristors originaux à mosfet TO-252-3 n-canal 150V 3A |
Tubes à semi-conducteurs d'oxyde de métal de type IRFR4615TRLPBF à thyristors originaux à mosfet TO-
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Tout neuf IRFP260N TO-247 MOS FET d'origine importée avec une puissance élevée de 200V/50A |
Tout neuf IRFP260N TO-247 MOS FET d'origine importée avec une puissance élevée de 200V/50A
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Nouveau transistor original FDP18N50 TO-220-3 18A/500V puissant puce IC Mosfet |
Nouveau transistor original FDP18N50 TO-220-3 18A/500V puissant puce IC Mosfet
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SIR422DP-T1-GE3 QFN8 puce de transistor MOSFET SMD du canal N 40V/20,5A |
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 N Canal 40V/20.5A Puce MOSFET SMD
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C3M0016120K TO-247-4 Puissance par carbure de silicium MOSFET de type N Composant électronique |
C3M0016120K TO-247-4 Puissance par carbure de silicium MOSFET de type N Composant électronique
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SI2301CDS-T1-GE3 P Canaux MOSFET FET puce Composants électroniques IC SOT-23 Emballage |
SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P patch de canal MOSFET FET puce IC composants électroniques
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TGAN40N60F2DS TO-3P IC de circuit intégré IC de composant électronique |
TGAN40N60F2DS TO-3P Circuits intégrés Nouveau stock original Lc puces composants électroniques Bom f
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