C3M0016120K TO-247-4 Puissance par carbure de silicium MOSFET de type N Composant électronique
Définition:
C3M0016120K TO-247-4 Puissance par carbure de silicium MOSFET de type N Composant électronique
Catégorie:
MOS Transistor
Prix:
CN¥0.1431/pieces
Les spécifications
Température de fonctionnement:
-40°C ~ 175°C
Série:
C3M
Définition:
MOSFET FET
Le type:
sic transistor MOSFET
D/C:
23+
Type de colis:
Dans tout le trou
Application du projet:
Énergie, toutes sortes de produits électroniques
Type de fournisseur:
fabricant original
Référence croisée:
-
Les médias disponibles:
Une photo
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
115A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
Pour les appareils électroniques
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
Stable
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
115A
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
Stable
Puissance maximale:
Stable
Fréquence - Transition:
Stable
Type de montage:
DIP, trou à travers
Emballage / boîtier:
TO-247-4
Résistance - Base (R1):
Stable
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
Stable
Type de FET:
Stable
Caractéristique de FET:
Stable
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Stable
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
Stable
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Stable
Vgs(th) (maximum) @ Id:
Stable
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
Stable
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Stable
Fréquence:
Stable
Rating de courant (ampères):
Stable
Figure du bruit:
Stable
Puissance - Sortie:
Stable
Voltage - Nominal:
Stable
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
Stable
Vgs (maximum):
Stable
Type IGBT:
Stable
Configuration:
Stable
Le nombre maximal d'émissions de CO2:
Stable
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
Stable
Résultats de l'analyse:
Stable
Thermistors NTC:
Stable
Tension - panne (V (BR) GSS):
Stable
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Stable
Drain actuel (identification) - maximum:
Stable
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
Stable
Résistance - le RDS (dessus):
Stable
Voltage - sortie:
Stable
Tension - compensation (VT):
Stable
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao):
Stable
Actuel - vallée (iv):
Stable
Actuel - crête:
Stable
Type de transistor:
Stable
Nom du produit:
C3M0016120K
Qualité:
Garantie de haute qualité 365 jours
Paiement:
T/T
Condition:
Original 100%
Le paquet:
Paquet standard
Garantie:
1 à 3 ans
Expédition par:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Detalis:
Veuillez nous contacter
Original de:
Marque originale
Mettre en évidence:
Transistor MOS original
,Transistor MOSFET original
Introduction au projet
Description du produit
Type de produit: | Transistors à effet de champ au carbure de silicium |
Numéro de modèle: | C3M0016120K |
Série: | Le cyclone III EP3C40 |
Le vendeur: | C3M |
Emballage: | TO-247-4 |
Installez le style: | trou à travers |
Nouveau et original |
C3M0016120KTO-247-4 Transistors à effet de champ au carbure de siliciumest l'une de nos puces IC les plus vendues
Personne de contact: | M. Guo, vous avez raison. | ||
Télégramme: | +86 13434437778 | ||
Votre adresse électronique: | Je ne peux pas vous aider. | ||
Nouschat: | - le numéro d'immatriculation | ||
Emballage et livraison
Quantité (pièces) | 1 à 100 | 100 à 1000 | 1000 à 10000 |
Temps de réalisation (jours) | 3 à 5 | 5 à 8 | À négocier |
Profil de l'entreprise
Questions fréquentes
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