logo
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 polski فارسی বাংলা ไทย tiếng Việt العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia
Huis
producten
fabrikanten
Over ons
Middelen
Verzend RFQ
downloaden
Huis > producten > MOS Transistor > C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip

C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip

C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
Beschrijving:
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC
Categorie:
MOS Transistor
Prijs:
CN¥0.1431/pieces
Betalingswijze:
L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union,MoneyGram
Specificaties
Werktemperatuur:
-40°C ~ 175°C
Reeks:
C3M
Beschrijving:
FET MOSFET
Type:
sic mosfet
D/C:
23+
Type verpakking:
Door Gat
Toepassing:
Energie, allerlei elektronische producten
Tipe leverancier:
originele fabrikant
Kruisverwijzingen:
-
Beschikbare media:
Foto
Stroom - collector (Ic) (max):
115A
Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max):
1200 V
Vce verzadiging (max) @ Ib, Ic:
Stabiel
Stroom - collectievergrens (maximaal):
115A
Gelijkstroomwinst (hFE) (min) @ Ic, Vce:
Stabiel
Vermogen - Max:
Stabiel
Frequentie - Overgang:
Stabiel
Montagetype:
DIP, doorgat
Pakket / doos:
Aan-247-4
Resistor - basis (R1):
Stabiel
Resistor - basis van de zender (R2):
Stabiel
FET-type:
Stabiel
FET Eigenschap:
Stabiel
Huidig - Vallei (iv):
Stabiel
Huidig - Piek:
Stabiel
Type transistor:
Stabiel
Naam van het product:
C3M0016120K
Kwaliteit:
Hoogwaardige garantie 365 dagen
Betaling:
T/T
Conditie:
Originele 100%
Pakket:
Standaardpakket
Garantie:
1-3 jaar
Verzending via:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Detalis:
Neem contact met ons op.
Original fromm:
Origineel merk
Markeren:

originele mos-transistor

,

originele mosfet-transistor

Inleiding
Productbeschrijving
Producttype:
Silicium Carbide Field Effect Transistor
Modelnummer:
C3M0016120K
Serie:
Cyclone III EP3C40
Leverancier:
C3M
Verpakking:
TO-247-4
Installeer de stijl:
door de hole
Nieuw en origineel
C3M0016120KTO-247-4 Silicium Carbide Field Effect Transistoris een van onze best verkopende IC-chips
Contactpersoon:
Mr.Guo
Tel:
+86 13434437778
E -mail:
Xcdzic@163.com
Wechat:
0086 13434437778
Inpakken en leveren
Hoeveelheid (stukken)
1-100
100-1000
1000-10000
Doorlooptijd (dagen)
3-5
5-8
Om te worden onderhandeld
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
Bedrijfsprofiel
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
FAQ
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-type MOSFET Elektronisch onderdeel Silicon Carbide SIC FET IC chip
Tags:

Gebiedseffect transistor,

MOSFET Transistor,

moschip

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
1000
Contacteer ons
Adres: Kamer 3-1211A, nummer 8760 Bao'an Avenue, Hongxing Community, Songgang Street, Bao'an District, Shenzhen City
E-mail: 13434437778@163.com
Telefoon: 86-0775-13434437778
producten

geïntegreerde schakeling

IGBT

Microcontroller MCU

Diodetransistor thyristor

Connector-IC

Radiofrequentie IC

Elektronische Componenten IC

Microwave-IC

RFID IC

Passief onderdeel
Over ons
Over ons ISO-Certificaat Kwaliteitscontrole Privacybeleid Hulpcentrum
Privacybeleid | De Goede Kwaliteit van China geïntegreerde schakeling Leverancier. Copyright © 2025 Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd. . Alle rechten voorbehoudena.