C3M0016120K TO-247-4 Potencia de carburo de silicio MOSFET de tipo N Componente electrónico de carburo de silicio SIC FET chip IC
Descripción:
C3M0016120K TO-247-4 Potencia de carburo de silicio MOSFET de tipo N Componente electrónico de carbu
Categoría:
MOS Transistor
Precio:
CN¥0.1431/pieces
Especificaciones
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 175°C
Serie:
C3M
Descripción:
FET MOSFET
El tipo:
sic mosfet
D/C:
23+
Tipo de paquete:
En el agujero
Aplicación:
Energía, todo tipo de productos electrónicos
Tipo de proveedor:
Fabricante original
Referencias cruzadas:
-
Medios disponibles:
Fotografía
Corriente - colector (Ic) (máximo):
115A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Establemente
Corriente - límite del colector (máximo):
115A
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
Establemente
Potencia - máximo:
Establemente
Frecuencia - Transición:
Establemente
Tipo de montaje:
DIP, agujero a través
Envase / estuche:
TO-247-4
Resistencia - Base (R1):
Establemente
Resistencia - Base del emisor (R2):
Establemente
Tipo de FET:
Establemente
Característica del FET:
Establemente
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Establemente
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
Establemente
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Establemente
Vgs(th) (máximo) @ Id:
Establemente
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Establemente
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Establemente
Frecuencia:
Establemente
Clasificación de corriente (amperios):
Establemente
Figura del ruido:
Establemente
Potencia - Producción:
Establemente
Voltado nominal:
Establemente
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):
Establemente
Vgs (máximo):
Establemente
Tipo de IGBT:
Establemente
Configuración:
Establemente
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
Establemente
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
Establemente
Ingreso:
Establemente
El termistor NTC:
Establemente
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
Establemente
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Establemente
Dren actual (identificación) - máxima:
Establemente
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Establemente
Resistencia - RDS (encendido):
Establemente
Voltado - Salida:
Establemente
Voltaje - compensación (Vt):
Establemente
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao):
Establemente
Actual - valle (iv):
Establemente
Actual - pico:
Establemente
Tipo de transistor:
Establemente
Nombre del producto:
C3M0016120K
Calidad:
Garantía de alta calidad 365 días
Pago:
T/T
Condición:
Original 100%
Paquete:
Paquete estándar
Garantización:
Entre 1 y 3 años
Envío por:
DHL\UPS\Fedex\EMS\Correo de Hong Kong
Detalis:
Póngase en contacto con nosotros.
Original de:
Marca original
Resaltar:
Transistores de mos originales
,Transistores de mosfet originales
Introducción
Descripción del producto
Tipo de producto: | Transistores de efecto de campo de carburo de silicio |
Número del modelo: | C3M0016120K |
La serie: | Ciclón III EP3C40 |
Vendedor: | C3M |
Embalaje: | TO-247-4 |
Instale el estilo: | agujero |
Nuevo y original |
C3M0016120KTO-247-4 Transistores de efecto de campo de carburo de silicioes uno de nuestros chips IC más vendidos
Persona de contacto: | El Sr. Guo | ||
El teléfono: | +86 13434437778 | ||
El correo electrónico: | ¿Cómo se llama? | ||
En Wechat: | No obstante lo dispuesto en el apartado 1 del presente artículo, | ||
Embalaje y entrega
Cantidad ((piezas) | 1 a 100 | 100 a 1000 | Entre 1000 y 10000 |
Tiempo de ejecución (días) | 3 y 5 | 5 a 8. | Para ser negociado |
Perfil de la empresa
Preguntas frecuentes
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: