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Keywords [ field effect transistor ] Match 19 productos.
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | RFQ | |
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NCEP15T14LL TOLL N Canal MOSFET Transistor 150V 170A Transistor de efecto de campo |
NCEP15T14LL TOLL transistor MOSFET de potencia de canal n de 150V 170A
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NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Transistor de efecto de campo 30V 8.2A Impresión de pantalla de canal N 4C10 |
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 efecto de campo MOSFET 30V 8.2A Impresión en pantalla de canal N 4C10
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IRF8714TRPBF SOP-8 N Canal MOS Efecto de campo Transistor IC Componentes electrónicos |
IRF8714TRPBF SOP-8 N Canal MOS Transistor de Efecto de Campo IC Componentes Electrónicos Completamen
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NCE2030K TO-252 20V 30A N Canal MOS Chip Transistor de efecto de campo |
Chip transistor de efecto de campo MOS de canal N NCE2030K TO-252 20V 30A
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Transistor de efecto de campo MOS 40V90A de semiconductor N-canal de IPD036N04L SOT-252 SMPS con cambio rápido MOSFET |
Transistor de efecto de campo MOS 40V90A de semiconductor N-canal de IPD036N04L SOT-252 SMPS con cam
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Transistor de efecto de campo MOS 40V90A de semiconductor N-canal de IPD036N04L SOT-252 SMPS con cambio rápido MOSFET |
Transistor de efecto de campo MOS 40V90A de semiconductor N-canal de IPD036N04L SOT-252 SMPS con cam
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IRF7905TRPBF SOIC-8 Transistor de circuito integrado monolítico IC MOS con efecto de campo Transistor de canal N |
IRF7905TRPBF SOIC-8 Transistor de circuito integrado monolítico IC MOS con efecto de campo Transisto
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BSS138LT1G SOT-23-3 Circuito integrado de chip de alta calidad Componente electrónico MOS Transistor de efecto de campo |
BSS138LT1G SOT-23-3 Circuito integrado de chip de alta calidad Componente electrónico MOS Transistor
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AP3010 SOP-8 Transistores MOS FET impresos en pantalla Resisten una tensión de 30V 10A |
AP3010 SOP-8 3010 MOS FET de canal N impreso en pantalla con resistencia a una tensión de 30V 10A
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Nuevo transistor original N-canal de montaje en superficie SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A |
Nuevo transistor original N-canal de montaje en superficie SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A
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Transistor de potencia MOS HY3912W TO-247 190A 125V MOSFET mejorado por el canal N |
Transistor de potencia MOS HY3912W TO-247 190A 125V MOSFET mejorado por el canal N
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Componente electrónico de transistor bidireccional de alta potencia BT136 a 220 800 |
Componente electrónico de transistor bidireccional de alta potencia BT136 a 220 800
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Tíristor mosfet original TO-252-3 tubo de semiconductores de óxido metálico de 3A de 150 V de canal n IRFR4615TRLPBF |
Tíristor mosfet original TO-252-3 tubo de semiconductores de óxido metálico de 3A de 150 V de canal
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FET IRFP260N TO-247 MOS importado nuevo y original con alta potencia de 200V/50A |
FET IRFP260N TO-247 MOS importado nuevo y original con alta potencia de 200V/50A
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Nuevo transistor original FDP18N50 TO-220-3 18A/500V de potencia con chip de IC Mosfet |
Nuevo transistor original FDP18N50 TO-220-3 18A/500V de potencia con chip de IC Mosfet
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SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET Transistor Chip N Canal 40V/20.5A |
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 N Canal 40V/20.5A Chip MOSFET SMD
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C3M0016120K TO-247-4 Potencia de carburo de silicio MOSFET de tipo N Componente electrónico de carburo de silicio SIC FET chip IC |
C3M0016120K TO-247-4 Potencia de carburo de silicio MOSFET de tipo N Componente electrónico de carbu
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SI2301CDS-T1-GE3 P Canal MOSFET FET Chip Componentes electrónicos IC SOT-23 Embalaje |
SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P parche de canal MOSFET FET chip IC componentes electrónicos
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TGAN40N60F2DS TO-3P IC de circuito integrado IC de componente electrónico |
Circuitos integrados TGAN40N60F2DS TO-3P Nuevos originales en stock Chips Lc Componente electrónico
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