SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET Transistor Chip N Canal 40V/20.5A
fabricante:
SK HYNIX
Descripción:
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 N Canal 40V/20.5A Chip MOSFET SMD
Categoría:
MOS Transistor
Precio:
CN¥1.44/pieces
Especificaciones
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C, -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Serie:
El Sr.
Descripción:
MOSFETs, -
El tipo:
MOSFET, transistores
D/C:
23+, 23+
Tipo de paquete:
Montura de la superficie
Aplicación:
Objeto general, todo tipo de productos electrónicos
Tipo de proveedor:
otras
Referencias cruzadas:
-
Medios disponibles:
Fotografía
Corriente - colector (Ic) (máximo):
-
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
-
Corriente - límite del colector (máximo):
-
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
-
Potencia - máximo:
5W ((Ta),34.7W ((Tc)
Frecuencia - Transición:
-
Tipo de montaje:
Soporte superficial, soporte superficial
Envase / estuche:
QFN8
Resistencia - Base (R1):
-
Resistencia - Base del emisor (R2):
-
Tipo de FET:
N-canal
Característica del FET:
-
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
-
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
20.5 A
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
6.6 m @ 20A, 10V
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2.5V a 250A
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
48 nC @ 10 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
1785 pF @ 20 V
Frecuencia:
-
Clasificación de corriente (amperios):
-
Figura del ruido:
-
Potencia - Producción:
-
Voltado nominal:
-
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):
-
Vgs (máximo):
± 20 V
Tipo de IGBT:
FET, MOSFET
Configuración:
Fase única
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
-
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
1785 pF @ 20 V
Ingreso:
-
El termistor NTC:
-
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
-
Dren actual (identificación) - máxima:
-
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
-
Resistencia - RDS (encendido):
-
Voltado - Salida:
-
Voltaje - compensación (Vt):
-
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao):
-
Actual - valle (iv):
-
Actual - pico:
-
Tipo de transistor:
MOSFET
Nombre del producto:
SIR422DP-T1-GE3 (en inglés)
Original de:
Marca original
Detalis:
Póngase en contacto con nosotros.
Envío por:
DHL\UPS\Fedex\EMS\Correo de Hong Kong
Pago:
Paypal y Western Union
Condición:
Nuevo y Original
Garantización:
365 días de garantía
Calidad:
Original de alta calidad
Válvula de tensión:
-
Aplicaciones:
Estándar
Resaltar:
SIR422DP-T1-GE3 (en inglés)
,MOSFET SMD de tipo QFN8
,El chip MOSFET de 40 V/20
Introducción
Descripción del producto
|
Tipo de producto:
|
Transistor de efecto de campo único MOSFET
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Número de modelo:
|
SIR422DP-T1-GE3
|
|
Serie:
|
SIR
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|
Proveedor:
|
VISHAY
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|
Embalaje:
|
QFN8
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Instalar el estilo:
|
Montaje en superficie
|
|
|
Nuevo y original
|
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 Transistor de efecto de campo único MOSFET es uno de nuestros chips IC más vendidos
|
Persona de contacto:
|
Sr.Guo
|
|
|
|
Tel:
|
+86 13434437778
|
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|
Correo electrónico:
|
XCDZIC@163.COM
|
|
|
|
Wechat:
|
0086 13434437778
|
|
|
Embalaje y entrega
|
Cantidad (piezas)
|
1-100
|
100-1000
|
1000-10000
|
|
Plazo de entrega (días)
|
3-5
|
5-8
|
A negociar
|
Perfil de la empresa
Preguntas frecuentes
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