SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET Transistor Chip Canal N 40V/20,5A
fabricante:
SK HYNIX
Descrição:
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 N Canal 40V/20.5A Chip MOSFET SMD
Categoria:
MOS Transistor
Preço:
CN¥1.44/pieces
Especificações
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C, -55°C ~ 150°C (TJ)
Série:
O senhor
Descrição:
MOSFETs, -
Tipo:
MOSFET, Transistores
D/C:
23+, 23+
Tipo de embalagem:
Montagem de superfície
Aplicação:
Propósito geral, Todos os tipos de produtos electrónicos
Tipo de fornecedor:
outros
Referências cruzadas:
-
Mídia disponível:
Fotografia
Corrente - colector (Ic) (máximo):
-
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
-
Corrente - limite do colector (máximo):
-
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
-
Potência - Máximo:
5W(Ta),34.7W ((Tc)
Frequência - Transição:
-
Tipo de montagem:
Montagem de superfície, montagem de superfície
Embalagem / Caixa:
QFN8
Resistência - Base (R1):
-
Resistência - Base do emissor (R2):
-
Tipo de FET:
N-canal
Característica do FET:
-
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
-
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
20.5 A
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6.6 m @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250A
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
48 nC @ 10 V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
1785 pF @ 20 V
Frequência:
-
Câmbio de corrente nominal (Amp):
-
Figura de ruído:
-
Potência - saída:
-
Voltagem nominal:
-
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On):
-
Vgs (máximo):
± 20V
Tipo IGBT:
FET, MOSFET
Configuração:
Fase única
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
-
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
1785 pF @ 20 V
Input:
-
Termistor NTC:
-
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
40 V
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
-
Dreno atual (identificação) - máxima:
-
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
-
Resistência - RDS (sobre):
-
Voltagem - Saída:
-
Tensão - offset (Vt):
-
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao):
-
Atual - vale (iv):
-
Atual - pico:
-
Tipo de transistor:
MOSFET
Nome do produto:
SIR422DP-T1-GE3
Original de:
Tipo original
Detalis:
Por favor, entre em contacto connosco.
Transporte por:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Pagamento:
Paypal Western Union t/t
Condição:
Marca Nova e Original
Garantia:
Garantia de 365 dias
Qualidade:
Original de alta qualidade
Voltagem:
-
Aplicações:
Padrão
Destacar:
SIR422DP-T1-GE3
,QFN8 SMD MOSFET
,Chip MOSFET de 40 V/20
Introdução
Descrição do produto
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Tipo de produto:
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MOSFET do transistor de efeito único
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Número do modelo:
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SIR422DP-T1-GE3
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Série:
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SENHOR
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Fornecedor:
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Vishay
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Embalagem:
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Qfn8
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Instale o estilo:
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Montagem na superfície
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Novo e original
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SIR422DP-T1-GE3Qfn8 MOSFET do transistor de efeito únicoé um dos nossos chips IC mais vendidos
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Pessoa de contato:
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Sr.Guo
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Tel:
|
+86 13434437778
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E-mail:
|
Xcdzic@163.com
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WeChat:
|
0086 13434437778
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Embalagem e entrega
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Quantidade (peças)
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1-100
|
100-1000
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1000-10000
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Líder de tempo (dias)
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3-5
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5-8
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Ser negociado
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perfil de companhia
Perguntas frequentes
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