SI2301CDS-T1-GE3 P Canal MOSFET FET Chip Componentes Eletrônicos IC SOT-23 Embalagem
fabricante:
SK HYNIX
Descrição:
SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P canal patch MOSFET FET chip IC componentes electrónicos
Categoria:
MOS Transistor
Preço:
CN¥1.44/pieces
Especificações
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C, -55°C ~ 150°C
Série:
SI2
Descrição:
MOSFETs, -
Tipo:
MOSFET, Transistores
D/C:
23+, 23+
Tipo de embalagem:
Montagem de superfície
Aplicação:
Propósito geral, Todos os tipos de produtos electrónicos
Tipo de fornecedor:
outros
Referências cruzadas:
-
Mídia disponível:
outros
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
-
Corrente - limite do colector (máximo):
-
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
-
Potência - Máximo:
860 mW ((Ta),1.6W ((Tc)
Frequência - Transição:
-
Tipo de montagem:
Montagem de superfície, montagem de superfície
Embalagem / Caixa:
SOT-23
Resistência - Base (R1):
-
Resistência - Base do emissor (R2):
-
Tipo de FET:
-
Característica do FET:
-
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
-
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250A
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
10 nC @ 4,5 V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
405 pF @ 10 V
Frequência:
-
Câmbio de corrente nominal (Amp):
-
Figura de ruído:
-
Potência - saída:
-
Voltagem nominal:
-
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On):
-
Vgs (máximo):
±8V
Tipo IGBT:
-
Configuração:
Fase única
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
-
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
-
Input:
-
Termistor NTC:
-
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
-
Dreno atual (identificação) - máxima:
-
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
-
Resistência - RDS (sobre):
-
Voltagem - Saída:
-
Tensão - offset (Vt):
-
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao):
- Não.
Atual - vale (iv):
-
Atual - pico:
-
Tipo de transistor:
MOS
Nome do produto:
SI2301CDS-T1-GE3
Original de:
Tipo original
Detalis:
Por favor, entre em contacto connosco.
Transporte por:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Pagamento:
Paypal Western Union t/t
Condição:
Marca Nova e Original
Garantia:
Garantia de 365 dias
Qualidade:
Original de alta qualidade
Voltagem:
-
Aplicações:
MOS
Destacar:
SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET FET
,MOSFET FET SOT-23 Embalagem
,P canal MOSFET FET
Introdução
Descrição do produto
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Tipo de produto:
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Chip de transistor de efeito de campo MOSFET
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Número do modelo:
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SI2301CDS-T1-GE3
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Série:
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SI2
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Vendedor:
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VISHAY
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Embalagem:
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SOT-23
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Instale o estilo:
|
Instalação de superfície
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Novos e originais
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SI2301CDS-T1-GE3SOT-23 Chip de transistor de efeito de campo MOSFETé um dos nossos chips IC mais vendidos
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Pessoa de contacto:
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Sr. Guo.
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Telefone:
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+86 13434437778
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Email:
|
XCDZIC@163.COM
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Wechat:
|
0086 13434437778
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Embalagem e entrega
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Quantidade ((peças)
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1 a 100
|
100 a 1000
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1000-10000
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Tempo de execução (dias)
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3-5
|
5 a 8
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A negociar
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Perfil da empresa
Perguntas frequentes
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