SI2301CDS-T1-GE3 P 채널 MOSFET FET 칩 전자 부품 IC SOT-23 포장
제조 업체:
SK 하이닉스
설명:
SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P 채널 패치 MOSFET FET 칩 IC 전자 구성 요소
분류:
MOS 트랜지스터
가격:
CN¥1.44/pieces
사양
작동 온도:
-55 ° C ~ 150 ° C, -55 ° C ~ 150 ° C
시리즈:
SI2
설명:
MOSFETS, -
종류:
MOSFET, 트랜지스터
D/C:
23+, 23+
패키지 종류:
표면 마운트
적용:
범용, 모든 종류의 전자 제품
공급자 유형:
다른 것
크로스 레퍼런스:
-
이용 가능한 매체:
다른 것
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
-
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):
-
경향 - 집전기 절단 (맥스):
-
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
-
전원 - 맥스:
860MW (TA), 1.6W (TC)
주파수 - 변화:
-
장착형:
표면 부착, 표면 부착
패키지 / 케이스:
SOT-23
저항기 - 토대 (R1):
-
저항기 - 방출기 베이스 (R2):
-
FET은 타이핑합니다:
-
FET 특징:
-
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
-
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
-
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
112m옴 @ 2.8A, 4.5V
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
1V @ 250A
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
4.5 Ｖ에 있는 10 nC
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
10V에서 405pF
빈도:
-
전류 등급 (Amps):
-
소음 지수:
-
전원 - 생산:
-
전압 - 평가됩니다:
-
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
-
브그스 (맥스):
±8V
IGBT는 타이핑합니다:
-
구성:
단일 단계
프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스:
-
프스에 있는 입력 커패시턴스 (CIE):
-
입력:
-
NTC 서미스터:
-
전압 - 고장 (V(BR)GSS):
-
경향 - Vds (Vgs=0)에 있는 배수 (이드스):
-
전류 소모 (Id) - 맥스:
-
전압 - Id에 있는 결산일 (떨어져서 VGS):
-
저항 - RDS (계속):
-
전압 - 출력:
-
전압 - 벌충 (Vt):
-
전류 - 음극 누출 (이가오)에 대한 게이트:
--
경향 - 밸리 (Iv):
-
경향 - 성수기:
-
트랜지스터형:
MO
제품 이름:
SI2301CDS-T1-GE3
원래 후롬:
원래 브랜드
데트앨리스:
저희에게 연락하십시오.
선박:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK 포스트
지불:
PayPal Western Union T/T
조건:
새로운 브랜드와 오리지널
보증:
365 Days -Warranty
품질:
원본 고품질
전압:
-
신청서:
MO
강조하다:
SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET FET
,MOSFET FET SOT-23 포장
,P 채널 MOSFET FET
소개
제품 설명
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제품 종류:
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MOSFET 현장 효과 트랜지스터 칩
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모델 번호:
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SI2301CDS-T1-GE3
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시리즈:
|
SI2
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판매자:
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VISHAY
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포장:
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SOT-23
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스타일을 설치합니다:
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표면 장착
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새롭고 원본
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SI2301CDS-T1-GE3SOT-23 MOSFET 현장 효과 트랜지스터 칩가장 많이 팔린 IC 칩 중 하나입니다.
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연락처:
|
구오 씨
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전화:
|
+86 13434437778
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이메일:
|
XCDZIC@163.COM
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웨이차트:
|
0086 13434437778
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포장 및 배달
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수 (주)
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1-100
|
100-1000
|
1000~10000
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선행 시간 (일)
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3-5
|
5-8
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협상할 것
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