SI2301CDS-T1-GE3 P チャンネル MOSFET FET チップ 電子部品 IC SOT-23 パッケージ
メーカー:
SK HYNIX
記述:
SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 Pチャネルパッチ MOSFET FETチップICの電子部品
カテゴリー:
MOSのトランジスター
価格:
CN¥1.44/pieces
仕様
動作温度:
-55°C ~ 150°C, -55°C ~ 150°C
シリーズ:
SI2
記述:
MOSFET, -
タイプ:
MOSFET トランジスタ
D/C:
23歳以上
パッケージの種類:
表面マウント
適用する:
一般用途,あらゆる種類の電子製品
供給者の種類:
ほか
クロス参照:
-
入手可能なメディア:
ほか
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
-
電流 - コレクターの切断値 (最大):
-
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
-
パワー - マックス:
860mW (Ta)1.6W ((Tc)
頻度 - 移行:
-
マウントタイプ:
表面の台紙、表面の台紙
パッケージ/ケース:
SOT-23
抵抗 - ベース (R1):
-
レジスタ - エミッターベース (R2):
-
FETタイプ:
-
FETの特徴:
-
流出電圧から源電圧 (Vdss):
-
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
-
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
112mOhm @ 2.8A 4.5V
Vgs(th) (最大) @ Id:
1V @ 250A
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
10 NC @ 4.5ボルト
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
405 pF @ 10 V
頻度:
-
定位電流 (アンプ):
-
騒音数:
-
電力 - 輸出:
-
定数電圧:
-
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）:
-
Vgs (最大):
±8V
IGBTタイプ:
-
構成:
単相
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
-
入力容量 (Cies) @ Vce:
-
インプット:
-
NTC サーミストール:
-
電圧-故障（V （BR） GSS）:
-
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）:
-
現在の下水管（ID最高） -:
-
電圧-締切り（VGS） @ ID:
-
抵抗- RDS （）:
-
電圧 - 出力:
-
電圧-オフセット（Vt）:
-
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート:
- そうだ
現在-谷（iv）:
-
現在-ピーク:
-
トランジスタタイプ:
MOS
製品名:
SI2301CDS-T1-GE3
元のfromm:
元のブランド
Detalis:
連絡してください.
輸送する:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK ポスト
支払い:
パイパール ウェスタンユニオン
条件:
新品とオリジナル
保証:
365 日保証
品質:
原作 高品質
電圧:
-
申請:
MOS
ハイライト:
SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET FET
,MOSFET FET SOT-23 パッケージ
,Pチャンネル MOSFET FET
紹介
製品の説明
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製品タイプ:
|
MOSFET電界効果トランジスタチップ
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型番:
|
SI2301CDS-T1-GE3
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シリーズ:
|
SI2
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ベンダー:
|
VISHAY
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パッケージ:
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SOT-23
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インストールのスタイル:
|
表面実装
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新品でオリジナル
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SI2301CDS-T1-GE3SOT-23 MOSFET電界効果トランジスタチップは、当社のベストセラーICチップの1つです
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担当者:
|
Mr.Guo
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電話:
|
+86 13434437778
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メール:
|
XCDZIC@163.COM
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Wechat:
|
0086 13434437778
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梱包と配送
|
数量（個）
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1-100
|
100-1000
|
1000-10000
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リードタイム（日）
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3-5
|
5-8
|
交渉可能
|
会社概要
よくある質問
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