SI2301CDS-T1-GE3 P Canal MOSFET FET Chip Componentes electrónicos IC SOT-23 Embalaje
fabricante:
SK HYNIX
Descripción:
SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P parche de canal MOSFET FET chip IC componentes electrónicos
Categoría:
MOS Transistor
Precio:
CN¥1.44/pieces
Especificaciones
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C, -55 °C ~ 150 °C
Serie:
SI2
Descripción:
MOSFETs, -
El tipo:
MOSFET, transistores
D/C:
23+, 23+
Tipo de paquete:
Montura de la superficie
Aplicación:
Objeto general, todo tipo de productos electrónicos
Tipo de proveedor:
otras
Referencias cruzadas:
-
Medios disponibles:
otras
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
-
Corriente - límite del colector (máximo):
-
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
-
Potencia - máximo:
860 mW ((Ta),1.6W ((Tc)
Frecuencia - Transición:
-
Tipo de montaje:
Soporte superficial, soporte superficial
Envase / estuche:
El SOT-23
Resistencia - Base (R1):
-
Resistencia - Base del emisor (R2):
-
Tipo de FET:
-
Característica del FET:
-
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
-
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
-
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1V @ 250A
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
10 nC @ 4,5 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
405 pF @ 10 V
Frecuencia:
-
Clasificación de corriente (amperios):
-
Figura del ruido:
-
Potencia - Producción:
-
Voltado nominal:
-
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):
-
Vgs (máximo):
±8V
Tipo de IGBT:
-
Configuración:
Fase única
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
-
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
-
Ingreso:
-
El termistor NTC:
-
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
-
Dren actual (identificación) - máxima:
-
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
-
Resistencia - RDS (encendido):
-
Voltado - Salida:
-
Voltaje - compensación (Vt):
-
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao):
- ¿Qué quieres decir?
Actual - valle (iv):
-
Actual - pico:
-
Tipo de transistor:
MOS
Nombre del producto:
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los ve
Original de:
Marca original
Detalis:
Póngase en contacto con nosotros.
Envío por:
DHL\UPS\Fedex\EMS\Correo de Hong Kong
Pago:
Paypal y Western Union
Condición:
Nuevo y Original
Garantización:
365 días de garantía
Calidad:
Original de alta calidad
Válvula de tensión:
-
Aplicaciones:
MOS
Resaltar:
SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET FET
,MOSFET FET SOT-23 Embalaje
,MOSFET FET de canal P
Introducción
Descripción del producto
|
Tipo de producto:
|
Chip de transistor de efecto de campo MOSFET
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|
Número del modelo:
|
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor, el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor será inferior al 0,5%.
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|
La serie:
|
El SI2
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|
Vendedor:
|
VISHAY
|
|
Embalaje:
|
El SOT-23
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|
Instale el estilo:
|
Instalación en la superficie
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|
Nuevo y original
|
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor, el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor será inferior al 0,5%.El SOT-23 Chip de transistor de efecto de campo MOSFETes uno de nuestros chips IC más vendidos
|
Persona de contacto:
|
El Sr. Guo
|
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El teléfono:
|
+86 13434437778
|
|
|
|
El correo electrónico:
|
¿Cómo se llama?
|
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|
En Wechat:
|
No obstante lo dispuesto en el apartado 1 del presente artículo,
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|
Embalaje y entrega
|
Cantidad ((piezas)
|
1 a 100
|
100 a 1000
|
Entre 1000 y 10000
|
|
Tiempo de ejecución (días)
|
3 y 5
|
5 a 8.
|
Para ser negociado
|
Perfil de la empresa
Preguntas frecuentes
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