SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET Transistor Chip Canale N 40V/20.5A
fabbricante:
SK HYNIX
Descrizione:
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 N Canale 40V/20.5A SMD MOSFET Chip
Categoria:
MOS Transistor
Prezzo:
CN¥1.44/pieces
Specificità
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C, -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie:
SIGNORE
Descrizione:
MOSFET, -
Tipo:
MOSFET, transistor
D/C:
23+, 23+
Tipo di pacchetto:
Montaggio superficiale
Applicazione:
Oggetto generale, tutti i tipi di prodotti elettronici
Tipo di fornitore:
altri
Riferimenti incrociati:
-
Media disponibili:
Fotografia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
-
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
-
Corrente - limite del collettore (massimo):
-
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
-
Potenza - Max:
5W(Ta),34.7W ((Tc)
Frequenza - Transizione:
-
Tipo di montaggio:
Supporto di superficie, supporto di superficie
Confezione / Cassa:
QFN8
Resistenza - Base (R1):
-
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
-
Tipo di FET:
Canale N
Caratteristica del FET:
-
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
-
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
20.5 A
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6.6 m @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250A
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
48 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1785 pF @ 20 V
Frequenza:
-
Corrente nominale (ampere):
-
Figura del rumore:
-
Potenza - Output:
-
Voltaggio nominale:
-
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):
-
Vgs (Max):
± 20V
Tipo IGBT:
FET, MOSFET
Configurazione:
Fase singola
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
1785 pF @ 20 V
Input:
-
Termistor NTC:
-
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
40 V
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
-
Scolo corrente (identificazione) - massima:
-
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
-
Resistenza - RDS (sopra):
-
Voltaggio - uscita:
-
Tensione - contrappeso (VT):
-
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao):
-
Corrente - valle (iv):
-
Corrente - picco:
-
Tipo di transistor:
MOSFET
Nome del prodotto:
SIR422DP-T1-GE3
Originale da:
Marca originale
Detalis:
Si prega di contattarci
Spedizione da::
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Pagamento:
Paypal Western Union bonifico bancario
Condizione:
Nuovo di zecca e originale
Garanzia:
Garanzia di 365 giorni
Qualità:
Originale di alta qualità
Voltaggio:
-
Applicazioni:
Norme
Evidenziare:
SIR422DP-T1-GE3
,QFN8 SMD MOSFET
,40V/20.5A MOSFET chip
Introduzione
Descrizione del prodotto
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Tipo di prodotto:
|
Transistor a effetto campo singolo MOSFET
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Numero di modello:
|
SIR422DP-T1-GE3
|
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Serie:
|
SIGNORE
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Venditore:
|
VISHAY
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Imballaggio:
|
QFN8
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Installare lo stile:
|
Montaggio di superficie
|
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|
Nuovo e originale
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SIR422DP-T1-GE3QFN8 Transistor a effetto campo singolo MOSFETè uno dei nostri chip IC più venduti
|
Persona di contatto:
|
Signor Guo.
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Telefono:
|
+86 13434437778
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Email:
|
XCDZIC@163.COM
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Wechat:
|
0086 13434437778
|
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Imballaggio e consegna
|
Quantità (piezze)
|
1-100
|
100-1000
|
1000-10000
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|
Tempo di consegna (giorni)
|
3-5
|
5-8
|
Da negoziare
|
Profilo aziendale
Domande frequenti
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