logo
Do domu > produkty > Tranzystor MOS > C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip

C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip

Opis:
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FE
Kategoria:
Tranzystor MOS
Ceny:
CN¥0.1431/pieces
Specyfikacje
Temperatura pracy:
-40°C ~ 175°C
Zestaw:
C3m
Opis:
FET MOSFET
Rodzaj:
Sic Mosfet
D/C:
23+
Rodzaj opakowania:
Przez otwór
Zastosowanie:
Moc, wszelkiego rodzaju produkty elektroniczne
Rodzaj dostawcy:
oryginalny producent
Odsyłacz:
-
Dostępne media:
Zdjęcie
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
115A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
Stabilny
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
115A
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Stabilny
Moc — maks:
Stabilny
Częstotliwość - Przejście:
Stabilny
Rodzaj montażu:
Zanurzyć się, przez dołek
Opakowanie / Pudełko:
TO-247-4
Rezystor - Baza (R1):
Stabilny
Rezystor – podstawa emitera (R2):
Stabilny
Typ FET:
Stabilny
Funkcja FET:
Stabilny
Napięcie od drenu do źródła (Vdss):
Stabilny
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C:
Stabilny
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Stabilny
Vgs(th) (Maks.) @ Id:
Stabilny
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:
Stabilny
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:
Stabilny
Częstotliwość:
Stabilny
Prąd znamionowy (ampery):
Stabilny
Rysunek hałasu:
Stabilny
Moc - Wyjście:
Stabilny
Napięcie — znamionowe:
Stabilny
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.):
Stabilny
Vgs (maks.):
Stabilny
Typ IGBT:
Stabilny
konfiguracja:
Stabilny
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
Stabilny
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
Stabilny
Wpływ:
Stabilny
Termistor NTC:
Stabilny
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS):
Stabilny
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Stabilny
Pobór prądu (Id) — maks:
Stabilny
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id:
Stabilny
Rezystancja — RDS (wł.):
Stabilny
Napięcie - Wyjście:
Stabilny
Napięcie — przesunięcie (Vt):
Stabilny
Prąd – wyciek od bramki do anody (Igao):
Stabilny
Prąd - Dolina (Iv):
Stabilny
Obecny - Szczyt:
Stabilny
Typ tranzystora:
Stabilny
Nazwa produktu:
C3M0016120K
Jakość:
Gwarancja wysokiej jakości 365 dni
Wypłata:
T/T
Warunki:
Oryginalny 100%
Pakiet:
Standardowy pakiet
Gwarancja:
1-3 lata
Wysyłka wg:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Poczta
Szczegóły:
proszę skontaktuj się z nami
Oryginalny zm:
Oryginalna marka
Podkreślić:

oryginalny tranzystor mos

,

oryginalny tranzystor mos fet

Wprowadzenie
Opis produktu
Rodzaj produktu:
Tranzystor polowy z węglika krzemu
Numer modelu:
C3M0016120K
Seria:
Cyclone III EP3C40
Dostawca:
C3M
Opakowanie:
TO-247-4
Styl instalacji:
przelotowy
Nowy i oryginalny
C3M0016120K TO-247-4 Tranzystor polowy z węglika krzemu jest jednym z naszych najlepiej sprzedających się układów scalonych
Osoba kontaktowa:
Pan Guo
Tel:
+86 13434437778
Email:
XCDZIC@163.COM
Wechat:
0086 13434437778
Pakowanie i dostawa
Ilość (sztuki)
1-100
100-1000
1000-10000
Czas realizacji (dni)
3-5
5-8
Do uzgodnienia
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
Profil firmy
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
FAQ
C3M0016120K TO-247-4 Silisium Karbid Moc N-typ MOSFET Elektroniczny Komponent Silisium Karbid SIC FET IC Chip
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: