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	Bild	Teil #	Beschreibung	fabricant	Lagerbestand	RFQ
		Original-Hochfrequenz- und Hochspannungs-Einrichtungs-Silizium-gesteuerter Richter 100A 1800V TO-247 CLA100E1800HF	Original-Hochfrequenz- und Hochspannungs-Einrichtungs-Silizium-gesteuerter Richter 100A 1800V TO-247
		NGD8201AG TO-252 Automobil Computer Zündspule Transistor ist brandneu und original	NGD8201AG TO-252 Automobil Computer Zündspule Transistor ist brandneu und original
		Original Thyristor Mosfet TO-252-3 n-Kanal 150V 3A Metalloxid Halbleiterröhre IRFR4615TRLPBF	Original Thyristor Mosfet TO-252-3 n-Kanal 150V 3A Metalloxid Halbleiterröhre IRFR4615TRLPBF
		600V 40A TO-247 FGH40N60SFD Transistor igt Rohr Induktionskocher Hochleistungsumrichter Schweißmaschine Transistor	600V 40A TO-247 FGH40N60SFD Transistor igt Rohr Induktionskocher Hochleistungsumrichter Schweißmasch
		Halbleiter-N-Kanal 40V90A MOS-Feldwirkungstransistor von IPD036N04L SOT-252 SMPS schnellschaltendes MOSFET	Halbleiter-N-Kanal 40V90A MOS-Feldwirkungstransistor von IPD036N04L SOT-252 SMPS schnellschaltendes
		Brandneues Original EG4005C SOP-8 Schottky Diode Mikrowelle Infrarot Induktives menschliches Radar Induktive elektronische Komponenten	Brandneues Original EG4005C SOP-8 Schottky Diode Mikrowelle Infrarot Induktives menschliches Radar I
		20SQ045 DO-201 Schottky-Diode 20A 45V-Rectifier Diode 2 wird für die Solarverbindungsbox verwendet	20SQ045 DO-201 Schottky-Diode 20A 45V-Rectifier Diode 2 wird für die Solarverbindungsbox verwendet
		Audio-Leistungsverstärker Transistor 15A 230V bis 3P2S1943-O2SC5200-O Elektronische Komponente Leistungsverstärker Anwendungstransistor	Audio-Leistungsverstärker Transistor 15A 230V bis 3P2S1943-O2SC5200-O Elektronische Komponente Leist
		SMD Schottky Diode 10A 100V SB10100L TO-277 Elektronische Komponenten sind brandneu und original	SMD Schottky Diode 10A 100V SB10100L TO-277 Elektronische Komponenten sind brandneu und original
		Glas Passiver Schnellbrückenrichter Elektronische Komponente GBP310 GBP Brückenrichter Brückendiode	Glas Passiver Schnellbrückenrichter Elektronische Komponente GBP310 GBP Brückenrichter Brückendiode
		Kunststoff-Hochleistungs-Gerechtigungsmittel 3A/1000V-Gerechtigungsdiode DO-27 UF5400-UF5408	Kunststoff-Hochleistungs-Gerechtigungsmittel 3A/1000V-Gerechtigungsdiode DO-27 UF5400-UF5408
		BTA100-1200B BTA100-800B TO-4PT Bidirektionale SCR 800V direkt in elektronische Komponenten eines Thyristor-Spot-Schweißers eingefügt	BTA100-1200B BTA100-800B TO-4PT Bidirektionale SCR 800V direkt in elektronische Komponenten eines Th
		Original MOSFET Inverter MOS Leistungstransistor HY3912W TO-247 190A 125V N-Kanal verbessertes MOSFET	Original MOSFET Inverter MOS Leistungstransistor HY3912W TO-247 190A 125V N-Kanal verbessertes MOSFE
		2N3904 TO-92 BJT NPN Universal Bipolar Junction Transistor 40V20Ma625mw Neu und Original	2N3904 TO-92 BJT NPN Universal Bipolar Junction Transistor 40V20Ma625mw Neu und Original
		BT138-600E TO-220 MOSFET Transistor 12A 600V Thyristor Brandneu und Original	BT1302 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
		FGH60N60UFD TO-247 Inverter IGBT Einzelrohr 60A600V für Schweißmaschine	FGH60N60UFD TO-247 Inverterschweißmaschine IGB Einrohr 60A600V
		S9014 0,15A 50V Low Power NPN Transistor SOT-23 Originales diskretes Halbleiterprodukt	S9014 0,15A 50V NPN Niederleistungstransistor SOT-23 Transistor Originalprodukte aus diskreten Halbl
		BTA100-800B TO-4 Hochleistungs-Triac-Tyristor 800V 100A Reguliert bidirektionale Wechselstrom-Tyristor	Transistor BTA100-800B TO-4 Hochleistungs-Triac-Tyristor 800V 100A reguliert den bidirektionalen Wec
		FDP18N50 TO-220 18A/500V MOS FET Transistor N-Kanal durch Lochmontage	Neuartiger Transistor FDP18N50 TO-220 18A/500V N-Kanal FET MOS-Transistor
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		2N7002 SOT-23-3 7002 SMD MOSFET Transistor N Kanal 60V/115mA	2N7002 SOT-23-3 7002 N-Kanal 60V/115mA SMD MOSFET-Transistor mit Bildschirmdruck
		NCEP15T14D TO-263 150V 140A MOSFET-Transistor N-Kanal für elektronische Produkte	NCEP15T14D TO-263 N-Kanal 150V 140A Leistung MOSFET FET
		STW48N60M2 TO-247 600V 42A Spannungsstabilisierter MOS-Transistor N-Kanal-Diskretgerät	STW48N60M2 TO-247 N-Kanal 600V 42A spannungsstabilisierter MOS-Transistor, diskretes Bauelement
		BC817-40 215 SOT23 Bildschirmgedruckte 6CW Transistor 45S500 Ma Bipolar Junction Transistor BJT	BC817-40,215 SOT23 Bildschirmdruck 6CW Patch Transistor 45S500 Ma bipolarer Verbindungstransistor BJ
		NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Feldwirkungstransistor 30V 8.2A N-Kanal Bildschirmdruck 4C10	NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Feldwirkung MOSFET 30V 8.2A N-Kanal Bildschirmdruck 4C10
		NCEP15T14LL TOLL N-Kanal MOSFET Transistor 150V 170A Feldwirkungstransistor	NCEP15T14LL TOLL n-Kanal 150V 170A Leistungs-MOSFET Feldeffekttransistor
		SM02B-BHSS-1-TB 2PIN JST-Anschluss 3,5 mm Tonhöhe 2P Elektronische Komponente LCD-Hintergrundbeleuchtung	SM02B-BHSS-1-TB 2PIN JST-Anschluss 3,5 mm Tonhöhe 2P Elektronische Komponente LCD Hintergrundlicht H
		KXTJ3-1057 LGA12 dreiachsiger digitaler Beschleunigungssensor neues Original	KXTJ3-1057 LGA12 dreiachsiger digitaler Beschleunigungssensor neues Original

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SM02B-BHSS-1-TB 2PIN JST-Anschluss 3,5 mm Tonhöhe 2P Elektronische Komponente LCD-Hintergrundbeleuchtung

KXTJ3-1057 LGA12 dreiachsiger digitaler Beschleunigungssensor neues Original

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