NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Feldwirkungstransistor 30V 8.2A N-Kanal Bildschirmdruck 4C10
fabricant:
SK HYNIX
Beschreibung:
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Feldwirkung MOSFET 30V 8.2A N-Kanal Bildschirmdruck 4C10
Kategorie:
MOS Transistor
Preis:
CN¥1.44/pieces
Spezifikationen
Betriebstemperatur:
-55 C ~ + 150 C, Standard
Reihe:
NTTFS4C10N
Beschreibung:
Oberflächenmontage-Typ, -
Typ:
Metalloxidhalbleiterfeldwirkungstransistor, MOSFET
D/C:
23+, 23+
Art der Packung:
Oberflächenbefestigung
Anwendung:
MOSFET-Treiber, alle Arten von elektronischen Produkten
Lieferantenart:
andere
Kreuzbezüge:
- -
Verfügbare Medien:
Fotografie
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
- -
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
30 V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
2.2V @ 250A
Strom - Sammlergrenze (maximal):
Standards
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Standards
Leistung - Max.:
790mW(Ta),23.6W ((Tc)
Häufigkeit - Übergang:
Standards
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung, Oberflächenbefestigungsart
Packung / Gehäuse:
WDFN-8
Widerstand - Basis (R1):
Standards
Widerstand - Emitterbasis (R2):
Standards
FET-Typ:
Standards
Fet-Eigenschaft:
Standards
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
Standards
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
Standards
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Standards
Vgs(th) (Max) @ Id:
Standards
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
Standards
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
Standards
Häufigkeit:
Standards
Leistungsbewertung (Ampere):
Standards
Geräuschwerte:
Standards
Leistung - Leistung:
Standards
Nennspannung:
Standards
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):
Standards
Vgs (maximal):
Standards
IGBT-Typ:
Standards
Ausstattung:
Standards
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
Standards
Eingabe:
Standards
NTC-Thermistor:
Standards
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
Standards
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Standards
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
Standards
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
Standards
Widerstand - RDS (an):
Standards
Spannung - Ausgang:
Standards
Spannung - Ausgleich (Vt):
Standards
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):
Standards
Gegenwärtig - Tal (iv):
Standards
Gegenwärtig - Spitze:
Standards
Transistortyp:
SingleFET,MOSFET
Produktbezeichnung:
NTTFS4C10NTAG
Ursprünglich von:
Ursprüngliche Marke
Detalis:
Bitte kontaktieren Sie uns
Versand durch:
DHL\UPS\FedEx\EMS\HK Post
Zahlung:
Paypal Western Union t/t
Die Situation:
Brandneu und Original
Gewährleistung:
365 Tage Garantie
Qualität:
Original von hoher Qualität
Spannung:
Standards
Anwendungen:
MOSFET
Hervorheben:
Feldwirkungstransistor 30V 8
,2A
,NTTFS4C10NTAG Feldwirkungstransistor
Einleitung
Beschreibung des Produkts
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Produktart:
|
MOSFET-Transistor mit Feldwirkung für Halbleiter aus Metalloxid
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Modellnummer:
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NTTFS4C10NTAG
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Reihe:
|
NTTFS4C10N
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Lieferant:
|
An
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Verpackung:
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WDFN-8
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Installieren Sie den Stil:
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Typ der Oberflächenbefestigung
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Neu und originell
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NTTFS4C10NTAGWDFN-8 MOSFET-Transistor mit Feldwirkung für Halbleiter aus Metalloxidist einer unserer meistverkauften IC-Chips
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Kontaktperson:
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- Ich bin nicht hier.
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Tel:
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+86 13434437778
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E-Mail:
|
XCDZIC@163.COM
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Wechat:
|
0086 13434437778
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Verpackung und Lieferung
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Menge (Stück)
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1 bis 100
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100 bis 1000
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1000 bis 10000
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Vorlaufzeit (Tage)
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3-5 Jahre
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5 bis 8
|
Unterhandelbar
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Unternehmensprofil
Häufig gestellte Fragen
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