FF225R65T3E3BPSA1
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Sammler (IC) (max):
225 A
Produktstatus:
aktiv
Montagetyp:
Chassis -Berg
Paket:
Tablett
Serie:
XHPTM3
Paket / Fall:
Modul
VCE (ON) (max) @ vge, IC:
3.4V @ 15V, 225A
Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max):
5900 V
Lieferantengerätepaket:
Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.
Mfr:
Infineon -Technologien
Betriebstemperatur:
125°C (TJ)
Strom - Sammler Cutoff (max):
5 Ma
IGBT -Typ:
Grabenfeld Stopp
Kraft - Max:
1000000 W
Eingang:
Standard
Eingabekapazität (Cies) @ vce:
65.6 nF @ 25 V
Konfiguration:
2 unabhängig
NTC Thermistor:
NEIN
Grundproduktnummer:
FF225R65
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstopp 2 Unabhängige 5900 V 225 A 1000000 W Fahrgestellmontage AG-XHP3K65
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: