VS-40MT120PHAPBF
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Sammler (IC) (max):
75 A
Produktstatus:
aktiv
Montagetyp:
Durch Loch
Paket:
Rohr
Serie:
- -
Paket / Fall:
12-MTP-Modul
VCE (ON) (max) @ vge, IC:
2.65V @ 15V, 40A
Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max):
1200 V
Lieferantengerätepaket:
12-MTP
Mfr:
Vishay General Semiconductor - DioDes Division
Betriebstemperatur:
-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Strom - Sammler Cutoff (max):
50 µA
IGBT -Typ:
Grabenfeld Stopp
Kraft - Max:
305 W
Eingang:
Standard
Eingabekapazität (Cies) @ vce:
3.2 nF @ 25 V
Konfiguration:
Halbbrücke
NTC Thermistor:
NEIN
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Halbbrücke 1200 V 75 A 305 W Durch Loch 12-MTP
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: