FZ900R12KP4HOSA1
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Sammler (IC) (max):
900 A
Produktstatus:
aktiv
Montagetyp:
Chassis -Berg
Paket:
Tablett
Serie:
C
VCE (ON) (max) @ vge, IC:
2.05V @ 15V, 900A
Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max):
1200 V
Lieferantengerätepaket:
Modul
Mfr:
Infineon -Technologien
Betriebstemperatur:
-40 ° C ~ 125 ° C.
Strom - Sammler Cutoff (max):
5 Ma
IGBT -Typ:
- -
Paket / Fall:
Modul
Eingang:
Standard
Eingabekapazität (Cies) @ vce:
56 nF @ 25 V
Konfiguration:
Einzel
NTC Thermistor:
NEIN
Grundproduktnummer:
FZ900R12
Einleitung
IGBT-Modul Einfach 1200 V 900 A Fahrgestell-Modul
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: