F3L25R12W1T4B27BOMA1
Beschreibung:
Modul IGBT 1200V EASY1B-2
Kategorie:
IGBT-Module
In-Vorrat:
Auf Lager
Zahlungsmethode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Versandmethode:
Lcl, luft, fcl, express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Sammler (IC) (max):
45 A
Produktstatus:
aktiv
Montagetyp:
Chassis -Berg
Paket:
Tablett
Serie:
- -
Paket / Fall:
Modul
VCE (ON) (max) @ vge, IC:
2.25V @ 15V, 25A
Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max):
1200 V
Lieferantengerätepaket:
Einheit für die Bereitstellung von Daten
Mfr:
Infineon -Technologien
Betriebstemperatur:
-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Strom - Sammler Cutoff (max):
1 Ma
IGBT -Typ:
- -
Kraft - Max:
215 W
Eingang:
Standard
Eingabekapazität (Cies) @ vce:
1.45 nF @ 25 V
Konfiguration:
Halbbrücke
NTC Thermistor:
Ja
Grundproduktnummer:
Einheit für die Berechnung der Nennwerte
Einleitung
IGBT Module Half Bridge 1200 V 45 A 215 W Chassis Mount AG-EASY1B
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: