Die Ausrüstung ist in Form von
Beschreibung:
IGBT-Module 1200V 110A 357W SP4
Kategorie:
IGBT-Module
In-Vorrat:
Auf Lager
Zahlungsmethode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Versandmethode:
Lcl, luft, fcl, express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Sammler (IC) (max):
110 A
Produktstatus:
aktiv
Montagetyp:
Chassis -Berg
Paket:
Schüttgut
Serie:
- -
Paket / Fall:
SP4
VCE (ON) (max) @ vge, IC:
2.1V @ 15V, 75A
Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max):
1200 V
Lieferantengerätepaket:
SP4
Mfr:
Mikrochip -Technologie
Betriebstemperatur:
-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Strom - Sammler Cutoff (max):
250 µA
IGBT -Typ:
Grabenfeld Stopp
Kraft - Max:
357 W
Eingang:
Standard
Eingabekapazität (Cies) @ vce:
5.34 nF @ 25 V
Konfiguration:
Einzel
NTC Thermistor:
Ja
Grundproduktnummer:
APTGT75
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstoppe Einzel 1200 V 110 A 357 W Fahrgestell SP4
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: