NXH100B120H3Q0STG
Beschreibung:
IGBT-Module 1200V 50A 186W PIM22
Kategorie:
IGBT-Module
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Auf Lager
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Versandmethode:
Lcl, luft, fcl, express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Sammler (IC) (max):
50 a
Produktstatus:
aktiv
Montagetyp:
Chassis -Berg
Paket:
Tablett
Serie:
- -
Paket / Fall:
Modul
VCE (ON) (max) @ vge, IC:
2.3V @ 15V, 50A
Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max):
1200 V
Lieferantengerätepaket:
Einheitliche Datenbank für die Bereitstellung von Daten
Mfr:
Onsemi
Betriebstemperatur:
-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Strom - Sammler Cutoff (max):
200 µA
IGBT -Typ:
Grabenfeld Stopp
Kraft - Max:
186 W
Eingang:
Standard
Eingabekapazität (Cies) @ vce:
9.075 nF @ 20 V
Konfiguration:
2 unabhängig
NTC Thermistor:
NEIN
Grundproduktnummer:
NXH100
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstopp 2 Unabhängige 1200 V 50 A 186 W Fahrgestellmontage 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: