Die Ausrüstung wird von der Anlage ausgestoßen.
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Sammler (IC) (max):
220 A
Produktstatus:
Veraltet
Montagetyp:
Chassis -Berg
Paket:
Schüttgut
Serie:
- -
Paket / Fall:
Sp6
VCE (ON) (max) @ vge, IC:
2.5V @ 15V, 180A
Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max):
600 V
Lieferantengerätepaket:
Sp6
Mfr:
Die Mikrosemi Corporation
Betriebstemperatur:
- -
Strom - Sammler Cutoff (max):
300 µA
IGBT -Typ:
Npt
Kraft - Max:
833 W
Eingang:
Standard
Eingabekapazität (Cies) @ vce:
8.6 nF @ 25 V
Konfiguration:
Asymmetrische Brücke
NTC Thermistor:
NEIN
Einleitung
IGBT-Modul NPT Asymmetrische Brücke 600 V 220 A 833 W Fahrgestell SP6
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: