APTGT100A120D1G
Deskripsi:
MODUL IGBT 1200V 150A 520W D1
Kategori:
Modul IGBT
Persediaan:
Dalam stok
metode pembayaran:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Metode Pengiriman:
Lcl, udara, fcl, ekspres
Spesifikasi
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Transistor Modul IGBT IGBT
Arus - Kolektor (Ic) (Maks):
150 A
Status produk:
Usang
Jenis pemasangan:
Dudukan Chasis
Kemasan:
dalam jumlah besar
Seri:
-
Paket / kasing:
D1
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 100A
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks):
1200 V
Paket Perangkat Pemasok:
D1
Mfr:
Perusahaan Mikrosemi
Suhu operasi:
-
Arus - Batas Kolektor (Maks):
3 mA
Tipe IGBT:
Pemberhentian Lapangan Parit
Kekuatan - Max:
520 W
Masukan:
Standar
Kapasitansi Masukan (Cies) @ Vce:
7 nF @ 25 V
Konfigurasi:
Setengah Jembatan
Termistor NTC:
TIDAK
Pengantar
IGBT Modul Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 150 A 520 W Chassis Mount D1
Kirim RFQ
Stok:
In Stock
Moq: