NXH350N100H4Q2F2SG
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - collettore (IC) (max):
303 A
Stato del prodotto:
Obsoleto
Tipo di montaggio:
Monte del telaio
Pacchetto:
vassoio
Serie:
-
Pacchetto / caso:
Modulo
Vce (on) (max) @ vge, ic:
1.8V @ 15V, 375A
Tensione - Breakdown emettitore collettore (max):
1000 V
Pacchetto dispositivo fornitore:
42-PIM/Q2PACK (93x47)
Mfr:
Onsemi
Temperatura operativa:
-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Currente - Cutoff del collettore (max):
1 Ma
Tipo IGBT:
TRINCH FATTH STOP
Potenza - Max:
592 W
Ingresso:
Standard
Capacità di input (CIES) @ VCE:
24.146 nF @ 20 V
Configurazione:
Inverter a tre livelli
NTC Termistor:
SÌ
Numero di prodotto di base:
NXH350
Introduzione
Modulo IGBT Trench Field Stop Inverter a tre livelli 1000 V 303 A 592 W Montatura del telaio 42-PIM/Q2PACK (93x47)
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Stoccaggio:
In Stock
MOQ: