MG1275S-BA1MM
仕様
カテゴリ:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
現在 - コレクター(IC)(最大):
105 A
製品ステータス:
廃止
取り付けタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
バルク
シリーズ:
-
パッケージ /ケース:
S-3モジュール
vce(on)(max) @ vge、ic:
1.8V @ 15V,75A (タイプ)
電圧 - コレクターエミッタの分解(最大):
1200 v
サプライヤーデバイスパッケージ:
S3
MFR:
Littelfuse Inc.
動作温度:
-40°C〜150°C(TJ)
現在 - コレクターカットオフ(最大):
500 µA
IGBTタイプ:
-
パワー - マックス:
630W
入力:
標準
入力容量(CIES) @ VCE:
5.52 nF @ 25V
構成:
ハーフブリッジ
NTCサーミスタ:
いいえ
紹介
IGBT モジュール ハーフブリッジ 1200 V 105 A 630 W シャーシマウント S3
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: