NXH35C120L2C2S1G
仕様
カテゴリ:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
現在 - コレクター(IC)(最大):
35A
製品ステータス:
アクティブ
取り付けタイプ:
穴を通して
パッケージ:
チューブ
シリーズ:
-
パッケージ /ケース:
26-PowerDIPモジュール(1.199"、47.20mm)
vce(on)(max) @ vge、ic:
2.4V @ 15V、35A
電圧 - コレクターエミッタの分解(最大):
1200 v
サプライヤーデバイスパッケージ:
26-DIP
MFR:
onsemi
動作温度:
-40°C〜150°C(TJ)
現在 - コレクターカットオフ(最大):
250 µA
IGBTタイプ:
-
パワー - マックス:
20mW
入力:
三相橋整流器
入力容量(CIES) @ VCE:
8.33 nF @ 20V
構成:
ブレーキが付いている三相インバーター
NTCサーミスタ:
はい
基本製品番号:
NXH35
紹介
IGBT モジュール 3相インバーター ブレーキ付き 1200 V 35 A 20 mW Through Hole 26-DIP
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: