MG35P12P3
記述:
トランジスタ - IGBT - モジュールP3
カテゴリー:
IGBTモジュール
内部在庫:
在庫あり
決済方法:
L/C、D/A、D/P、T/T、Western Union、
配送方法:
lcl、air、fcl、express
仕様
カテゴリ:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
現在 - コレクター（IC）（最大）:
35A
製品ステータス:
アクティブ
取り付けタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
バルク
シリーズ:
-
パッケージ /ケース:
モジュール
vce（on）（max） @ vge、ic:
2.25V @ 15V,35A
電圧 - コレクターエミッタの分解（最大）:
1200 v
サプライヤーデバイスパッケージ:
-
MFR:
ヤンジ・テクノロジー
動作温度:
-40°C〜150°C（TJ）
現在 - コレクターカットオフ（最大）:
1 Ma
IGBTタイプ:
-
パワー - マックス:
215W
入力:
三相橋整流器
入力容量（CIES） @ VCE:
2nF @ 25V
構成:
ブレーキが付いている三相インバーター
NTCサーミスタ:
はい
紹介
IGBT モジュール 3相インバーター ブレーキ付き 1200 V 35 A 215 W シャーシマウント
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: