مدار TPD4E02B04DQAR USON-10 از تلویزیون سرکوب ولتاژ گذرا محافظت می کند
توضیحات:
مدار TPD4E02B04DQAR USON-10 از تلویزیون سرکوب ولتاژ گذرا محافظت می کند
دسته بندی:
مدار مجتمع
قیمت:
CN¥1.44/pieces
مشخصات
دمای کار:
-40 درجه سانتی گراد ~ 125 درجه سانتی گراد
سری:
TPD4E02B04
نوع نصب:
ارتفاع سطح
توضیحات:
سرکوبگرهای ESD
نوع:
سایر
D/C:
23+ ، 23+
نوع بسته بندی:
ارتفاع سطح
درخواست:
HDMI ، انواع محصولات الکترونیکی
نوع تامین کننده:
سازنده اصلی
رسانه های موجود:
عکس
حداکثر ولتاژ جلو:
جدید
حداکثر ولتاژ معکوس:
جدید
Max. حداکثر Forward Current جریان رو به جلو:
جدید
Max. حداکثر Reverse Current جریان معکوس:
جدید
نوع دیود:
جدید
تکنولوژی:
جدید
ولتاژ - معکوس اوج (حداکثر):
جدید
فعلی - میانگین اصلاح شده (Io):
جدید
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:
جدید
جریان - نشت معکوس @ Vr:
جدید
بسته بندی / کیس:
USON-10
پیکربندی دیود:
جدید
ولتاژ - معکوس DC (Vr) (حداکثر):
جدید
فعلی - میانگین اصلاح شده (Io) (در هر دیود):
جدید
سرعت:
جدید
زمان بازیابی معکوس (trr):
جدید
ظرفیت @ Vr، F:
جدید
فعلی - حداکثر:
جدید
مقاومت @ If، F:
جدید
اتلاف نیرو (حداکثر):
جدید
نسبت ظرفیت:
جدید
وضعیت نسبت ظرفیت:
جدید
Q @ Vr، F:
جدید
پیکربندی:
جدید
ولتاژ - زنر (نام) (Vz):
جدید
تحمل:
جدید
قدرت - حداکثر:
جدید
امپدانس (حداکثر) (Zzt):
جدید
نام محصول:
TPD4E02B04DQAR
اصل از ام:
مارک اصلی
جزئیات:
لطفا با ما تماس بگیرید
حمل و نقل:
پست DHL\UPS\Fedex\EMS\HK
پرداخت:
پی پال Western Union T/T
شرایط:
برند نیواند اورجینال
تضمین:
365 روز وارونه
کیفیت:
اورجینال با کیفیت بالا
برجسته کردن:
مدار یکپارچه نصب سطح,تراشه مدیریت قدرت نصب سطح
,surface mount power management chip
مقدمه
توضیحات محصول
نوع محصول: | آرایه دیود محافظت از ESD 4 کاناله |
شماره مدل: | TPD4E02B04DQAR |
سری: | TPD4E02B04 |
فروشنده: | TI |
بسته بندی: | USON-10 |
نصب سبک: | نصب سطحی |
جدید و اصلی |
TPD4E02B04DQAR آرایه دیود محافظت از ESD 4 کاناله یکی از پرفروش ترین تراشه های IC ما است
شخص تماس: | آقای گو | ||
تلفن: | +86 13434437778 | ||
ایمیل: | XCDZIC@163.COM | ||
ویچت: | 0086 13434437778 | ||
بسته بندی و تحویل
تعداد (قطعه) | 1-100 | 100-1000 | 1000-10000 |
زمان تحویل (روز) | 3-5 | 5-8 | باید مذاکره شود |
مشخصات شرکت
سوالات متداول
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: