DF120R12W2H3B27BOMA1
Specyfikacje
kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
50 a
Status produktu:
aktywny
Typ montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
taca
Szereg:
-
Pakiet / obudowa:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,4 V przy 15 V, 40 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Pakiet urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura robocza:
-40°C ~ 150°C
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1 Ma
Typ IGBT:
-
Moc - Max:
180 W
Wejście:
Standard
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
2,35 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Falownik trójfazowy
Termistor NTC:
Tak
Podstawowy numer produktu:
DF120R12
Wprowadzenie
Moduł IGBT Trójfazowy Inwerter 1200 V 50 A 180 W Moduł montażu podwozia
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
In Stock
MOQ: