FF200R12KS4HOSA1
Specyfikacje
kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
275 A
Status produktu:
aktywny
Typ montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
taca
Szereg:
C
Pakiet / obudowa:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
3,7 V przy 15 V, 200 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Pakiet urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura robocza:
-40 ° C ~ 125 ° C.
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
5 Ma
Typ IGBT:
-
Moc - Max:
1400 W
Wejście:
Standard
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
13 nF przy 25 V
Konfiguracja:
2 niezależne
Termistor NTC:
NIE
Podstawowy numer produktu:
FF200R12
Wprowadzenie
Moduł IGBT 2 Niezależny 1200 V 275 A 1400 W moduł montażu podwozia
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
In Stock
MOQ: