APTGL475A120D3G
Opis:
MODUŁ IGBT 1200V 610A 2080W D3
Kategoria:
Moduły IGBT
Na stanie:
W magazynie
metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, ZACHODZENIE WESTOLA,
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
610 A
Status produktu:
aktywny
Typ montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
cielsko
Szereg:
-
Pakiet / obudowa:
Moduł D-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,2 V przy 15 V, 400 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Pakiet urządzeń dostawcy:
D3
Mfr:
Technologia mikroczipu
Temperatura robocza:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
5 Ma
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc - Max:
2080 W
Wejście:
Standard
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
24,6 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Pół mostu
Termistor NTC:
NIE
Podstawowy numer produktu:
APTGL475
Wprowadzenie
Moduł IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 610 A 2080 W Podwozie mocowane D3
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
In Stock
MOQ: