VS-GT100DA120U
Specyfikacje
kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
258 A
Status produktu:
Nieprzydatne
Typ montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
cielsko
Szereg:
-
Pakiet / obudowa:
SOT-227-4, miniBLOK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,1 V przy 15 V, 100 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Pakiet urządzeń dostawcy:
SOT-227
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Diody
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
100 µA
Typ IGBT:
Rów
Moc - Max:
893 W
Wejście:
Standard
Temperatura robocza:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguracja:
Pojedynczy
Termistor NTC:
NIE
Podstawowy numer produktu:
GT100
Wprowadzenie
Moduł IGBT Trench Single 1200 V 258 A 893 W Podwozie SOT-227
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
In Stock
MOQ: