FD150R12RT4HOSA1
Specyfikacje
kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
150 A
Status produktu:
aktywny
Typ montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
taca
Szereg:
C
Pakiet / obudowa:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,15 V przy 15 V, 150 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Pakiet urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura robocza:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1 Ma
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc - Max:
790 W
Wejście:
Standard
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
9,3 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Pojedynczy śmigłowiec
Termistor NTC:
NIE
Podstawowy numer produktu:
FD150R12
Wprowadzenie
Moduł IGBT Trench Field Stop Single Chopper 1200 V 150 A 790 W Moduł podwozia
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
In Stock
MOQ: