FS200R12PT4PBOSA1
Specyfikacje
kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
200 A
Status produktu:
aktywny
Typ montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
taca
Szereg:
EconoPACK™ 4
Pakiet / obudowa:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,15 V przy 15 V, 200 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Pakiet urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura robocza:
-40°C ~ 150°C
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1 Ma
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc - Max:
20 mW
Wejście:
Standard
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
14 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Pełny mostek
Termistor NTC:
Tak
Podstawowy numer produktu:
FS200R12
Wprowadzenie
Moduł IGBT Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 200 A 20 mW Moduł montażu podwozia
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
In Stock
MOQ: