F475R12KS4BOSA1
Specyfikacje
kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
100 A
Status produktu:
Wycofane w Digi-Key
Typ montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
cielsko
Szereg:
-
Pakiet / obudowa:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
3,75 V przy 15 V, 75 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Pakiet urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura robocza:
-40 ° C ~ 125 ° C.
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
5 Ma
Typ IGBT:
-
Moc - Max:
500 W
Wejście:
Standard
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
5,1 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Falownik trójfazowy
Termistor NTC:
Tak
Podstawowy numer produktu:
F475R12
Wprowadzenie
Moduł IGBT Trójfazowy Inwerter 1200 V 100 A 500 W Moduł podwozia
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
In Stock
MOQ: