FS50R12KT4PB11BPSA1
Opis:
IGBT MOD 1200 V 100 A 20 MW
Kategoria:
Moduły IGBT
Na stanie:
W magazynie
metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, ZACHODZENIE WESTOLA,
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
100 A
Status produktu:
aktywny
Typ montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
taca
Szereg:
EconoPACK™ 2
Pakiet / obudowa:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,15 V przy 15 V, 50 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Pakiet urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura robocza:
-40°C ~ 150°C
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1 Ma
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc - Max:
20 mW
Wejście:
Standard
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
2,8 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Falownik trójfazowy
Termistor NTC:
Tak
Podstawowy numer produktu:
FS50R12
Wprowadzenie
IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 100 A 20 mW Chassis Mount Module
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
In Stock
MOQ: