VS-GB70NA60UF
Specyfikacje
kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
111 A
Status produktu:
Nieprzydatne
Typ montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
cielsko
Szereg:
-
Pakiet / obudowa:
SOT-227-4, miniBLOK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,44 V przy 15 V, 70 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
600 V
Pakiet urządzeń dostawcy:
SOT-227
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Diody
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
100 µA
Typ IGBT:
Npt
Moc - Max:
447 W
Wejście:
Standard
Temperatura robocza:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguracja:
Pojedynczy
Termistor NTC:
NIE
Podstawowy numer produktu:
GB70
Wprowadzenie
Moduł IGBT NPT pojedynczy 600 V 111 A 447 W
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
In Stock
MOQ: