NXH450B100H4Q2F2PG
Opis:
1000 V, 75 A FSIII IGBT, ŚREDNIA PRĘDKOŚĆ
Kategoria:
Moduły IGBT
Na stanie:
W magazynie
metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, ZACHODZENIE WESTOLA,
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
101 A
Status produktu:
aktywny
Typ montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
taca
Szereg:
-
Pakiet / obudowa:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,25 V przy 15 V, 150 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1000 W
Pakiet urządzeń dostawcy:
56-PIM (93x47)
Mfr:
ONSEM
Temperatura robocza:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
600µA
Typ IGBT:
-
Moc - Max:
234 W
Wejście:
Standard
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
9,342 nF przy 20 V
Konfiguracja:
2 niezależne
Termistor NTC:
Tak
Wprowadzenie
Moduł IGBT 2 Niezależny 1000 V 101 A 234 W Podwozia 56-PIM (93x47)
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
In Stock
MOQ: