FP50R12N2T7PBPSA1
Opis:
MODUŁ IGBT PIM 1200 V, 50 A
Kategoria:
Moduły IGBT
Na stanie:
W magazynie
metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, ZACHODZENIE WESTOLA,
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
50 a
Status produktu:
aktywny
Typ montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
taca
Szereg:
EconoPIM™ 2, TRENCHSTOP™
Pakiet / obudowa:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
1,85 V przy 15 V, 25 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Pakiet urządzeń dostawcy:
AG-ECONO2B
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura robocza:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
4µA
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc - Max:
20 mW
Wejście:
Trójfazowy mostek prostowniczy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
11,1 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Falownik trójfazowy
Termistor NTC:
Tak
Wprowadzenie
Moduł IGBT Trench Field Stop Trójfazowy Inwerter 1200 V 50 A 20 mW Podwozie AG-ECONO2B
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
In Stock
MOQ: