FP75R17N3E4B11BPSA1
Specyfikacje
kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
150 A
Status produktu:
aktywny
Typ montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
taca
Szereg:
EconoPIM™ 3
Pakiet / obudowa:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,3 V przy 15 V, 75 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1700 W
Pakiet urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura robocza:
-40°C ~ 150°C
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1 Ma
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc - Max:
20 mW
Wejście:
Trójfazowy mostek prostowniczy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
6,8 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Falownik trójfazowy
Termistor NTC:
Tak
Podstawowy numer produktu:
FP75R17
Wprowadzenie
IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1700 V 150 A 20 mW Chassis Mount Module
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
In Stock
MOQ: