NXH50C120L2C2ESG
Descrição:
Módulo IGBT, CIB 1200 V, 50 A IG
Categoria:
Módulos de IGBT
Em-estoque:
Em estoque
Método de pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Método de envio:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - Coletor (IC) (Max):
50 a
Status do produto:
ativo
Tipo de montagem:
Através do buraco
Pacote:
Tubo
Série:
-
Pacote / caso:
módulo 26-PowerDIP (1,199", 47.20mm)
Vce (on) (max) @ vge, ic:
2.4V @ 15V, 50A
Tensão - colapso do emissor de colecionador (max):
1200 v
Pacote de dispositivo de fornecedor:
26-DIP
Mfr:
Onsemi
Temperatura operacional:
-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Corrente - Corte de colecionador (MAX):
250 µA
Tipo IGBT:
-
Poder - máx:
20 mW
Entrada:
retificador de ponte trifásico
Capacitância de entrada (CIES) @ VCE:
11.897 nF @ 20 V
Configuração:
Inversor trifásico com freio
NTC Termistor:
sim
Número do produto base:
NXH50
Introdução
IGBT Module Three Phase Inverter with Brake 1200 V 50 A 20 mW Through Hole 26-DIP
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Resíduos:
In Stock
MOQ: