FF1200R12KE3NOSA1
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - Corte de colecionador (MAX):
5 MA
Status do produto:
Obsoleto
Tipo de montagem:
Montagem do chassi
Pacote:
volume
Série:
-
Vce (on) (max) @ vge, ic:
2.15V @ 15V, 1200A
Tensão - colapso do emissor de colecionador (max):
1200 v
Pacote de dispositivo de fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura operacional:
-40 ° C ~ 125 ° C.
Poder - máx:
5000 W
Tipo IGBT:
-
Pacote / caso:
Módulo
Entrada:
Padrão
Capacitância de entrada (CIES) @ VCE:
86 nF @ 25 V
Configuração:
2 Independente
NTC Termistor:
NÃO
Número do produto base:
FF1200
Introdução
Módulo IGBT 2 Módulo independente de montagem do chassi de 1200 V a 5000 W
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Resíduos:
In Stock
MOQ: