APTGF25H120T1G
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - Coletor (IC) (Max):
40 A
Status do produto:
Obsoleto
Tipo de montagem:
Montagem do chassi
Pacote:
volume
Série:
-
Pacote / caso:
SP1
Vce (on) (max) @ vge, ic:
3.7V @ 15V, 25A
Tensão - colapso do emissor de colecionador (max):
1200 v
Pacote de dispositivo de fornecedor:
SP1
Mfr:
Microchip Technology
Temperatura operacional:
-
Corrente - Corte de colecionador (MAX):
250 µA
Tipo IGBT:
NPT
Poder - máx:
208 W
Entrada:
Padrão
Capacitância de entrada (CIES) @ VCE:
1.65 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor completo da ponte
NTC Termistor:
sim
Introdução
IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200 V 40 A 208 W Chassis Mount SP1
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Resíduos:
In Stock
MOQ: