FF800R12KE3NOSA1
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - Coletor (IC) (Max):
A 1200
Status do produto:
Obsoleto
Tipo de montagem:
Montagem do chassi
Pacote:
volume
Série:
-
Pacote / caso:
Módulo
Vce (on) (max) @ vge, ic:
2.15V @ 15V, 800A
Tensão - colapso do emissor de colecionador (max):
1200 v
Pacote de dispositivo de fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura operacional:
-40 ° C ~ 125 ° C.
Corrente - Corte de colecionador (MAX):
5 MA
Tipo IGBT:
-
Poder - máx:
3900 W
Entrada:
Padrão
Capacitância de entrada (CIES) @ VCE:
57 nF @ 25 V
Configuração:
Solteiro
NTC Termistor:
NÃO
Número do produto base:
FF800R12
Introdução
Módulo IGBT Único 1200 V 1200 A 3900 W Módulo montado no chassi
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Resíduos:
In Stock
MOQ: