F4100R06KL4BOSA1
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - Coletor (IC) (Max):
130 A
Status do produto:
Obsoleto
Tipo de montagem:
Montagem do chassi
Pacote:
bandeja
Série:
-
Pacote / caso:
Módulo
Vce (on) (max) @ vge, ic:
2.55V @ 15V, 100A
Tensão - colapso do emissor de colecionador (max):
600 v
Pacote de dispositivo de fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura operacional:
-40 ° C ~ 125 ° C.
Corrente - Corte de colecionador (MAX):
5 MA
Tipo IGBT:
-
Poder - máx:
430 W
Entrada:
Padrão
Capacitância de entrada (CIES) @ VCE:
4.3 nF @ 25 V
Configuração:
Meia ponte
NTC Termistor:
sim
Número do produto base:
F4100R
Introdução
Módulo IGBT Half Bridge 600 V 130 A 430 W Módulo montado no chassi
Envie o RFQ
Resíduos:
In Stock
MOQ: